Изоляция элементов обратно смещенными pn-переходами.
На рисунке 4.1а представлен фрагмент ППИМС с двумя биполярными транзисторами и с изоляцией обратно смещенными pn-переходами. На рисунке 4.1б представлена эквивалентная схема этого фрагмента. На подложку подается наибольшее отрицательное напряжение от источника питания, поэтому pn-переходы между коллектором БТ и подложкой оказываются запертыми и транзисторы изолированы друг от друга. Однако следует отметить, что обратно смещенные pn-переходы обладают барьерной емкостью СБ и с увеличением частоты возрастает паразитная связь между элементами схемы.
а) б)
Рисунок 4.1
Дата добавления: 2015-04-21; просмотров: 865;