Дополнительные токи переходов

Дополнительные токи переходов складываются из дырочных и рекомбинационных составляющих (см. рис. 3.11). В каждом переходе транзистора, помимо электронных, протекают и дырочные составляющие токов, обусловленные инжекцией дырок - основных носителей заряда в p-базе. Так как концентрация примеси в базе мала NАБ<<N , эти токи в десятки и более раз меньше электронных. Они могут быть рассчитаны по формулам:

(3.10)

где p и p - равновесные концентрации дырок в эмиттере и коллекторе соответственно. Рекомбинационные токи i' рек и i' ' рек обусловлены частичной рекомбинацией электронов, диффундирующих из эмиттера в коллектор. Скорость рекомбинации в базе (и рекомбинационные токи) пропорциональны избыточному числу неосновных носителей во всей базовой области (площадь под распределением D n(x) на рис. 3.10. D n(x) = n(x)- np ), или

. (3.11)

Учитывая , что распределение D n(x) - линейно, по формуле трапеции получим: , (3.12)

где ; (3.13)

. (3.14)

Ток i' рек(uЭП) определяется рекомбинацией электронов, соответствующих нормальной составляющей тока связи iN, а i'' рек(uКП) - инверсной iI. Дополнительные токи каждого перехода складываются из рекомбинационных и дырочных составляющих :

(3.15)

и зависят каждый от напряжения на своем переходе.








Дата добавления: 2015-03-03; просмотров: 856;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.004 сек.