Понятие об электронно-дырочном переходе и полупроводниковом диоде.

Полупроводниковые приборы в настоящее время широко применяются практически во всех отраслях науки и техники. Особенно большие возможности использования полупроводниковых материалов для приборов связаны со свойствами неоднородных полупроводниковых структур. Примером наиболее сильной из всех встречающихся неоднородностей является полупроводник, в котором концентрации примесей (доноров и акцепторов) меняются так, что в каком-то месте образца происходит смена типа проводимости с электронной на дырочную.

Область объемных зарядов, возникающая между двумя частями проводника с проводимостями р и n-типа называется электронно – дырочным переходом или р-n – переходом. Подчеркнем, что р – n переход получают в едином кристалле полупроводника; обычно р – и n-области представляют один и тот же полупроводник (германий Ge или кремний Si, или другие). В последние годы развита технология и созданы приборы на основе гетеропереходов (в одном кристалле р - область – один материал, n - область другой; например, Ge –GaAs, GaAs –GaF.

Прибор состоящий из р – n - перехода и двух омических контактов для включения во внешнюю цепь, представляет собой полупроводниковый диод (рисунок 74.1). По своему назначению полупроводниковые диды делятся на следующие группы: выпрямительные, высокочастотные, стабилитроны, варикапы, туннельные, фотодиоды, светодиоды и др.

Структура полупроводникового диода и его условное графическое обозначение в схемах

Рисунок 74.1