Определение H-параметров по статическим характеристикам

Так как статические характеристики транзисторов измеряются только на постоянном токе, то при определении амплитудных параметров токов и напряжений представим в виде приращения постоянных составляющих.

, при U2 = сonst; , при U2 = сonst;

при I1 = const; , при I1 = const.

Величины и определяются по входным характеристикам транзистора. Рассмотрим графоаналитическое определение h параметров на примере схемы с общим эмиттером. Ввиду того, что транзистор всегда работает с входным током, требуется пользоваться входными и выходными характеристиками (рисунок 13,14).

Будем считать, что нагрузочное сопротивление каскада будет одинаковым и для постоянного, и для переменного тока. Требуемый h-параметр рассчитывается из приведенных ниже формул. Из рисунков видно, что подставляемые в формулы данные находятся путем проекции точек на оси координат:

, при UКЭ = const Þ ;

при IБ = const Þ

 

, так как .

 

Рисунок - 13 Определение h-параметров по входным характеристикам в схеме с ОЭ: а – параметр h11Э; б – параметр h12Э.

 

Рисунок - 14 Определение h-параметров по выходным характеристикам в схеме с ОЭ: а – параметр h21Э; б – параметр h22Э.

 

Параметры и определяются по выходным характеристикам (рисунок 14):

Þ ;

, при IБ = const Þ .

 








Дата добавления: 2015-02-05; просмотров: 6042;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.003 сек.