Определение H-параметров по статическим характеристикам
Так как статические характеристики транзисторов измеряются только на постоянном токе, то при определении амплитудных параметров токов и напряжений представим в виде приращения постоянных составляющих.
, при U2 = сonst; , при U2 = сonst;
при I1 = const; , при I1 = const.
Величины и определяются по входным характеристикам транзистора. Рассмотрим графоаналитическое определение h параметров на примере схемы с общим эмиттером. Ввиду того, что транзистор всегда работает с входным током, требуется пользоваться входными и выходными характеристиками (рисунок 13,14).
Будем считать, что нагрузочное сопротивление каскада будет одинаковым и для постоянного, и для переменного тока. Требуемый h-параметр рассчитывается из приведенных ниже формул. Из рисунков видно, что подставляемые в формулы данные находятся путем проекции точек на оси координат:
, при UКЭ = const Þ ;
при IБ = const Þ
, так как .
Рисунок - 13 Определение h-параметров по входным характеристикам в схеме с ОЭ: а – параметр h11Э; б – параметр h12Э.
Рисунок - 14 Определение h-параметров по выходным характеристикам в схеме с ОЭ: а – параметр h21Э; б – параметр h22Э.
Параметры и определяются по выходным характеристикам (рисунок 14):
Þ ;
, при IБ = const Þ .
Дата добавления: 2015-02-05; просмотров: 6057;