Введение. П.Л. Чебышев - выдающийся русский математик и механик, родился 4 мая 1821 года в селе Окатово Боровского уезда Калужской губернии.

(1821-1894)

П.Л. Чебышев - выдающийся русский математик и механик, родился 4 мая 1821 года в селе Окатово Боровского уезда Калужской губернии.

П.Л.Чебышев окончил Московский университет в 1841 г. С 1850 г. он был профессором Петербургского университета. Он положил начало развитию многих новых разделов математики (теория приближений функций, интегральное исчисление, теория чисел, теория вероятностей), а также теории механизмов и машин. Одним из первых он начал увязывать проблемы математики с принципиальными вопросами естествознания и техники, многие его открытия обусловлены именно прикладными задачами. С 1856 года Чебышев работал в артиллерийском отделе Военного ученого комитета, занимался вопросами баллистики. Его теоретические разработки позволили русской артиллерии выйти в конце 19 века на одно из первых мест в мире.

П.Л. Чебышев - основатель петербургской научной школы математиков и механиков, действительный член Петербургской Академии наук с 1856 года, член Берлинской, Болонской, Парижской, Шведской академий наук, Лондонского королевского общества и многих других иностранных научных организаций.

П.Л.Чебышев скончался 26 ноября 1894 г. в Санкт-Петербурге.

Введение

Транзистор – электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий три (или более) электрода, предназначенный для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний. Изобретён в 1948 амер. учёными У. Шокли, У. Браттейном. В СССР первые транзисторы были разработаны в 1953 под руководством А. В. Красилова. Обычно выделяют два основных класса транзисторов: полевые транзисторы и биполярные транзисторы.

В полевых транзисторах (часто называют униполярными) протекание тока через кристалл обусловлено носителями заряда только одного знака – электронами или дырками. В биполярных транзисторах ток через кристалл обусловлен движением носителей заряда обоих знаков. Т. классифицируется по типам и группам в зависимости от физ., эксплуатацияи других параметров. В соответствий с максимальной частотой генерирования различают низкочастотные (до 3 мГц), высокочастотные (до 300 мГц) и сверхвысокочастотные (более 300 мГц) (см. СВЧ транзистор); по предельно допустимому напряжению (см. Высоковольтный транзистор); в соответствий с механизмом или условием переноса неосновных носителей заряда – дрейфовый транзистор, лавинный транзистор, туннельный; с учётом области применения – транзисторы маломощные малошумящие (используются во входных цепях радиоэлектронных усилительных устройств), импульсные, генераторные (в радиопередающих устройств), ключевые (в системах автоматического регулирования), фототранзисторы (в устройствах, преобразующих световые сигналы в электрические с одновременным усилением последних).

В качестве ПП материалов для изготовления транзистора используют преимущество кремний, германий и арсенид галлия. В соответствий с технологическими методами изготовления различают сплавные транзисторы, диффузионные транзисторы, конверсионные транзисторы, сплавно – диффузионные транзисторы, меза – транзисторы, эпитаксиальные транзисторы, ионно – легированные транзисторы и др. К основным технологическим методам относятся: диффузия и ионное легирование – для получения p – n переходов; нанесение металлов в вакууме – для получения омических контактов и барьеров Шоттки; фото- и электронолитография – для создания электродов (см. Эпитаксия). Обычно изготовление транзистора осуществляется формированием транзисторных структур на ПП пластине (на одной пластине размещается до 30 тыс. транзисторов.). После разделения пластины на кристаллы (чипы) последние монтируют пайкой либо приклейкой в корпус или устанавливают непосредственно в устройства (гибридные ИС), приваривают проволочные выводы и затем герметизируют.

В дипломном проекте разработаны и внедрены методы измерения основных параметров транзистора.