Тиристоры
Тиристором называется трехэлектродный прибор с четырехслойной полупроводниковой структурой. Рассмотрим рис. 1.4.1, крайние p и n области называются соответственно анодом и катодом, а внутренняя р-область - управляющим электродом.
а) б)
Рис. 1.4.1 Тиристор:
а) структура б) условные обозначения
(А – анод, К – катод, УЭ – управляющий электрод)
На рис. 1.4.2 изображена ВАХ тиристора при двухэлектродном включении. Структуру тиристора можно представить в виде двух транзисторов обоих типов - p-n-p и n-p-n (рис.1.4.3). База первого транзистора соединена с коллектором второго, а база второго - с коллектором первого.
Рис. 1.4.2. ВАХ тиристора при двухэлектродном включении
Если в цепи базы второго транзистора ток увеличился на величину , то токи коллекторов второго и первого транзисторов получат приращения, равные соответственно , , где и - коэффициенты усиления по току первого и второго транзисторов в схеме с общей базой.
Рис. 1.4.3. Эквивалентная схема тиристора
Коэффициент усиления по току кремниевого транзистора се всегда меньше единицы и не является постоянной величиной. При увеличении тока эмиттера возрастает.
При любом положительном напряжении на аноде тиристора, меньшем (см. рис. 1.4.2), величина тока эмиттера каждого транзистора такова, что сумма . При этом сопротивление тиристора велико и определяется главным образом величиной обратного сопротивления среднего p-n-перехода II (рис. 1.4.1), который оказывается включенным в обратном направлении. Два других p-n-перехода (I и III) (см. рис. 1.4.1) включены в прямом направлении и незначительно влияют на величину сопротивления тиристора. Через p-n-переход II протекает незначительный ток утечки (область 1 ВАХ, рис.1.4.2). Тиристор выключен (закрыт). При току утечки соответствует сумма . Тиристор открывается. В области проводимости (участок 2 ВАХ, рис. 1.4.2) , и ток через тиристор ограничивается лишь сопротивлением нагрузки. Сопротивление тиристора приблизительно равно сопротивлению полупроводникового диода в прямом направлении. Динамическое сопротивление тиристора в области 3 отрицательно , и работа прибора неустойчива. Область 4 ВАХ соответствует запиранию тиристора при обратном анодном напряжении.
Если приложить к управляющему электроду тиристора небольшой положительный потенциал относительно катода, то ток увеличится до значения, соответствующего , и прибор включается при меньшем анодном напряжении.
После включения тиристора транзисторы, составляющие его полупроводниковую структуру, поддерживают друг Друга в состоянии насыщения за счет положительной обратной связи. В отличие от транзисторов, для сохранения состояния проводимости тиристоров нет необходимости постоянно подавать сигнал на его управляющий электрод. Тиристор после включения теряет управляемость. Тиристор закрывается, если его анодный ток станет меньше величины, равной .
Из характеристик рис. 1.4.4 видно, что при увеличении тока управления уменьшается пробивное напряжение тиристора, а при достаточно большом токе управления характеристика тиристора подобна характеристике неуправляемого вентиля.
Рис. 1.4.4. ВАХ тиристора при различных токах управления
Тиристоры выпускаются на токи до нескольких сотен ампер и на допустимые обратные напряжения до 1000 В. Тиристоры в отличие от обычных диодов характеризуются рядом дополнительных параметров. К таким параметрам относятся: время включения и время восстановления управляемости тиристора, ток удержания тиристора при отсутствии управляющего сигнала и амплитуда тока управления .
В переходных режимах на величине напряжения пробоя тиристора значительно сказывается скорость нарастания прямого напряжения . С увеличением напряжение пробоя тиристора уменьшается, и при большой величине тиристор может открыться при токе управления, равном нулю. Поэтому не должна превышать определенной величины для данного типа тиристора.
Дата добавления: 2015-01-09; просмотров: 1101;