Фототиристоры

Тиристорные четырехслойные структуры p-n-p-n (рис.4.12) могут управляться световым потоком, подобно тому, как триодные тиристоры управляются напряжением, подаваемым на один из эмиттерных переходов. При действии света на область базы p₁ в этой области генерируются электроны и дырки, которые диффундируют к p-n-переходам. Электроны, попадая в область перехода П₂, находящегося под обратным напряжением, уменьшают его сопротивление. За счет этого происходит перераспределение напряжения, приложенного к тиристору: напряжение на переходе П₂ несколько уменьшается, а напряжение на переходах П₁ и П₃ несколько увеличиваются. Но тогда усиливается инжекция в переходах П₁ и П₃, к переходу П₂ приходят инжектированные носители, его сопротивление снова уменьшается и происходит дополнительное перераспределение напряжения, еще больше усиливается инжекция в переходах П₁ и П₃, ток лавинообразно нарастает (см. штриховые линии на рис.4.13), т.е. тиристор отпирается.

Чем больше световой поток, действующий на тиристор, тем при меньшем напряжении включается тиристор. Это наглядно показывают вольтамперные характеристики фототиристора, приведенные на рис.4.13. После включения на тиристоре устанавливается небольшое напряжение и почти все напряжение источника Е падает на нагрузке.

Фототиристоры могут успешно применяться в различных автоматических устройствах в качестве бесконтактных ключей для включения значительных напряжений и мощностей. Важные достоинства фототиристоров – малое потребление мощности во включенном состоянии, малые габариты, отсутствие искрения, малое (доли секунды) время включения.