И малосигнальные эквивалентные схемы транзистора
Большому классу электронных схем свойственен такой режим работы транзистора, при котором на фоне сравнительно больших постоянных токов и напряжений действуют малые переменные составляющие. В этом случае постоянные и переменные составляющие сигнала могут анализироваться раздельно, и анализ постоянных составляющих осуществляется с помощью физической модели Эберса-Молла, а при анализе переменных составляющих используется малосигнальная эквивалентная схема, состоящая из линейных элементов. Параметры ее элементов получают путем линеаризации исходных характеристик транзистора в окрестности режима работы по постоянному току.
Из малосигнальных эквивалентных схем биполярного транзистора наибольшее распространение получила Т-образная схема, которую легко получить из модели Эберса-Молла (рис.1.2.9). На рис. 1.2.12 представлена малосигнальная схема для транзистора, включенного по схеме с ОБ.
Рис. 1.2.12. Малосигнальная эквивалентная схема транзистора с ОБ
Если транзистор работает в нормальном режиме, то из эквивалентной схемы можно исключить источник тока , и обозначить через .
Направление тока эмиттера выбрано произвольно, поскольку знак приращения может быть любым (поэтому знак на схеме для простоты опущен). Коллекторная и эмиттерная емкости изображены штриховыми линиями, так как они учитываются только на высоких частотах.
Приращение тока коллектора в данной схеме
DIк=aдифDIэ +DU/zк.диф. (1.2.28)
Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода зависит от положения рабочей точки (точка покоя Iэ0), при DUкб=0.
= . (1.2.29)
Дифференциальный коэффициент передачи тока эмиттера, при Uкб =const равен
(1.2.30)
Емкость коллекторного перехода Ск, которая шунтирует генератор тока a DIэ проявляется при работе на высоких частотах сигнала.
Дифференциальное сопротивление коллекторного перехода rк.диф имеет тот же смысл, что и в схеме при больших сигналах и равно
, (1.2.31)
где , - длина свободного пробега в области базы, - концентрация примесей, - относительная диэлектрическая проницаемость среды, - абсолютная диэлектрическая проницаемость свободного пространства, - толщина базы, - модуль обратного напряжения.
Малосигнальная схема с ОЭ представлена на рис.1.2.13.
Приращение коллекторного тока в схеме с ОЭ равно
DIk = bдифDIб+(DUкэ/Z*кдиф) (1.2.32)
Рис. 1.2.12.Малосигнальная эквивалентная схема транзистора с ОЭ
Чтобы обе эквивалентные схемы (рис.1.2.11 и 1.2.12) были равноценны, они как четырехполюсники должны иметь одинаковые параметры в режимах холостого хода и короткого замыкания. Приравнивая напряжения холостого хода и , и учитывая, что в режиме холостого хода , получаем
. (1.2.33)
Переходя от к и учитывая, что , получаем
. (1.2.34)
В то же время коллекторная емкость равна
C*k=(bдиф+1)/Ck (1.2.35)
1.2.4.3. Эквивалентная схема транзистора в h-параметрах
Биполярный транзистор можно рассматривать как активный четырехполюсник, во входной цепи которого действуют переменные составляющие напряжения DU1 и тока DI1, а в выходной цепи - DU2 и DI2.
DI1 DI2
DU1 DU2
Рис. 1.2.13. Представление транзистора в виде четырехполюсника
Для малых сигналов четырехполюсник является линейной системой, т.е. описывается системой линейных уравнений, в которой две переменные являются независимыми, а остальные две - их линейными функциями. Существует несколько систем параметров, но наиболее распространенной является система h-параметров. Эквивалентная схема транзистора в h-параметрах отражает зависимость выходного тока DI2 и входного напряжения DU1 от его входного тока DI1 и выходного напряжения DU2
DU1=h11DI1+h12DU2 (1.2.36)
DI2=h21DI1+h22DU2,
где h11 = DU1/DI1, при DU2=0 - входное сопротивление в режиме короткого замыкания по выходу; h12 = DU1/DU2, при DI1=0 - коэффициент внутренней обратной связи по напряжению в режиме холостого хода по входу; h21 = DI2/DI1, при DU2=0 - коэффициент передачи тока в режиме короткого замыкания по выходу; h22 = DI2/DU2, при DI1=0 - выходная проводимость в режиме холостого хода по входу.
Часто вместо DU и DI используют обозначения U и I, понимая под ними амплитудные или действующие значения переменных составляющих синусоидальной формы.
В зависимости от схемы включения транзистора система уравнений (1.2.36) может быть конкретизирована, например для схемы с ОЭ система перепишется следующим образом:
, (1.2.37)
где и определяются с помощью опытов короткого замыкания на выходе, и определяются с помощью опытов холостого хода на входе. Данные параметры в схеме с ОЭ имеют следующий физический смысл: и - входное сопротивление и коэффициент передачи тока эмиттера при коротком замыкании на выходе транзистора, и - коэффициент обратной связи по напряжению и выходная проводимость при обратном холостом ходе на входе транзистора. Эквивалентная схема транзистора с ОЭ в h-параметрах представлена на рис. 1.2.14.
Данная эквивалентная схема также является малосигнальной.
Источник называется зависимым источником, так как значение тока этого источника зависит от тока другой ветви – тока базы, а источник - зависимым источником ЭДС , который характеризует обратную связь по напряжению.
Рис. 1.2.14 Эквивалентная схема транзистора с ОЭ в h-параметрах
Аналогично можно записать систему уравнений для транзистора с ОБ, и построить его эквивалентную схему в h-параметрах.
1.2.4.5. Эквивалентная схема транзистора в y-параметрах
Эквивалентная схема в y-параметрах обычно используется для анализа работы транзистора на высоких частотах. В этом случае независимыми переменными являются напряжения и , а зависимыми - токи и . Тогда система уравнений, характеризующая работу четырехполюсника примет вид:
DI1=y11DU1+y12DU2 (1.2.38)
DI2=y21DU1+y22DU2.
Для схемы с ОЭ (1.2.38) перепишется следующим образом:
. (1.2.39)
Коэффициенты системы уравнений (1.2.39)определяются при прямом и обратном коротком замыкании четырехполюсника.
Для случая прямого короткого замыкания: - входная проводимость при коротком замыкании, - проводимость прямой передачи, характеризующая воздействие входного напряжения на выходной ток при коротком замыкании.
Для случая обратного короткого замыкания: - проводимость обратной передачи, характеризующая воздействие выходного напряжения на входной ток при коротком замыкании, - выходная проводимость при коротком замыкании.
Эквивалентная схема транзистора с ОЭ в y-параметрах представлена на рис. 1.2.15.
Источник называется зависимым источником от входного напряжения , а источник - зависимым источником тока, потому что значение тока этого источника зависит от напряжения другой ветви.
Рис. 1.2.15 Эквивалентная схема транзистора с ОЭ в y-параметрах
Аналогично можно записать систему уравнений для транзистора с ОБ, и построить его эквивалентную схему в y-параметрах.
Дата добавления: 2015-01-09; просмотров: 3483;