Схема включения транзистора с общей базой (ОБ)

На рис. 1.2.2. представлена электрическая схема включения транзистора с общей базой. В данном случае рассматривается n-p-n-транзистор. В схеме с ОБ выходным током является ток коллектора, а входным — ток эмиттера.

Рис. 1.2.2 Схема включения транзистора с ОБ

Транзистор как четырехполюсник характеризуется входными и выходными статическими ВАХ. Для транзистора, включенного по схеме с ОБ выходные характеристики - это семейство кривых при .

В упрощенной формуле I_к = aI_э + I_кб0, по которой I_к вообще не зависит от U_кб, нужно добавить ещё одно слагаемое, учитывающее небольшой рост тока коллектора при увеличении U_кб за счёт расширения коллекторного перехода и соответствующего сужения базы:

, (1.2.7)

где r_к.диф - дифференциальное сопротивление коллекторного перехода, или

, (1.2.8)

где h_22б - выходная проводимость транзистора в схеме ОБ. На рис. 1.2.3 представлено семейство выходных характеристик.

Рис. 1.2.3. Выходные характеристики транзистора, включенного

по схеме с ОБ

Входные характеристики представляют семейство кривых , при , которые имеют экспоненциальный вид, т.к. на эмиттерный переход подается прямое напряжение. Его значение не превышает 0,4...0,5В для германия Ge, и 0,6-0,8В для кремния Si. Ток эмиттера в данном случае описывается следующим выражением:

, (1.2.9)

где - коэффициент передачи тока эмиттера, a_I - коэффициент передачи тока коллектора в инверсном режиме, I_эб - тепловой ток эмиттерного перехода при I_к=0.

Основными параметрами, характеризующими транзистор как активный нелинейный четырехполюсник (при любой схеме включения) являются коэффициенты усиления:

по току ;

по напряжению ;

по мощности ,

Рис. 1.2.4. Входные характеристики транзистора, включенного

по схеме с ОБ