Импульсный модулятор жесткого типа с емкостным накопительным элементом

Схема такого модулятора приведена на рис. 23.5 Работа схемы распадается на две фазы.

1-я фаза. Ключ - высоковольтный транзистор - закрыт за счет отрицательного напряжения, поданного на базу; протекает процесс заряда высоковольтного конденсатора С (рис. 23.6 а) по экспоненциальному закону:

, (23.3)

где Т_зар=(R₁+R₂)C - постоянная времени цепи заряда; Е₀ - напряжение источника питания; t<Т - текущее время.

Рис. 23.5 Схема импульсного модулятора жесткого типа с

емкостным накопительным элементом

2-я фаза. По истечении времени Т - периода повторения импульсов - на вход схемы приходит импульс положительной полярности, открывающий транзисторный ключ, вследствие чего к СВЧ генератору прикладывается положительное напряжение Е₀, до которого успел зарядиться конденсатор. Начинается разряд конденсатора через транзистор и СВЧ генератор (рис. 23.6 б) по закону:

, (23.4)

где Т_р=(R_мод+R_oг)C- постоянная времени цепи разряда, где R_мод, R_oг - сопротивления ключа и генератора по постоянному току.

Рис. 23.6 Эквивалентная схема ИМ жесткого типа с емкостным

накопительным элементом

Время разряда определяется длительностью импульса t, после чего ключ закрывается и вновь повторяется 1-я фаза процесса - заряд конденсатора. Графики, отображающие описанный процесс заряда и разряда конденсатора С, приведены на рис. 23.7 а. Постоянную времени цепи заряда Т_зар определим из условия: за время Т конденсатор должен успеть зарядиться до напряжения источника постоянного напряжения Е₀. Для его выполнения согласно (23.3) следует иметь (Т/Т_зар³3). Постоянную времени цепи разряда Т_р определим из условия: за время t (длительности импульса - напряжение на конденсаторе, приложенное к СВЧ генератору, должно уменьшится не более чем на DU_C=Е₀–Е₁ – (рис. 23.7 а). При DU_C/Е₀ <1 из (23.4) получим:

. (23.5)

Рис. 23.7 Графики, отображающие процесс заряда и разряда конденсатора в ИМ жесткого типа с емкостным накопительным элементом

Значение DU_C определяется режимом работы электронного прибора в СВЧ генераторе.

Поскольку в ИМ осуществляется коммутация больших значений токов, то при переключении, т.е. переходе из 1-й фазы работы во 2-ю и обратно, возникает переходный колебательный процесс (рис. 23.8, б). Для его ослабления в схему (рис. 23.6) включается диод Д1, гасящий возникающие колебания. КПД модулятора определяется как отношение энергии, отдаваемой конденсатором во время разряда W_С (2-я фаза), к энергии, идущей на заряд конденсатора W_С+W_R (1-я фаза), где W_R - энергия, расходуемая в сопротивлениях:

. (23.6)

Пример. Длительность импульса t=1 мкс=10^–6 с; период повторения импульсов Т=1 мс=10^–3 с; сопротивления: R_мод=2 Ом, R_0г=100 Ом. Допустимое изменение напряжения DU_C/E₀=5%. Согласно (23.5) для постоянной времени цепи разряда получим: Т_р=1/0,05=20 мкс.

Емкость С=Т_р/(R_мод+R_0г)=20×10^–6/102=2×10^–7Ф=0,2 мкФ.

Постоянная времени цепи заряда Т_з=0,2×Т=0,2×10^–3 с.

Сопротивления: (R₁+R₂)=Т_з/C=0,2×10^–3/0,2×10^–6=1000 Ом=1 кОм. (время измеряется в секундах, емкость - в фарадах, сопротивление - в омах). Согласно (23.6) КПД модулятора составляет 97,5%.