Порядок расчета. 7.5.1 Определяем параметры нагрузки:
7.5.1 Определяем параметры нагрузки:
а) ток нагрузки
б) сопротивление нагрузки
7.5.2 Расчет параметров и выбор выходного транзистора V2
а) определяем коллекторный ток транзистора V2 в режиме насыщения
Iк2 нас = Iн = 2.08 A;
б) определяем напряжение на транзисторе V2 в закрытом состоянии
Uкэ2 макс = Ек = 24 В;
в) для установки в схему выбираем транзистор типа П213 со следующими параметрами.
Максимально допустимый ток коллектора Iк макс доп. = 5 А.
Максимально допустимое напряжение эмиттер – коллектор
U кэ макс доп. = 45 В.
Тепловой ток коллектора
Iк 0 (200 С) = 0.15 мА.
Остаточное падение напряжения на открытом транзисторе ∆Uкэ = 0.5 В.
Коэффициент усиления по току β = 20 50.
7.5.3 Расчет цепи напряжения транзистора V2:
а) определяем величину тока базы транзистора V2 в режиме насыщения
Iб2 нас =
где Кнас – коэффициент насыщения, принимается равным 1.4 1.6;
б) определяем полное сопротивление цепи насыщения, состоящее из суммы сопротивлений резисторов R1 и R2,
Rнас = R1 + R2 =
где Uэб2 нас – падение напряжения на эмиттерном переходе транзистора V2 в режиме насыщения. Определяется по входной характеристике транзистора. При отсутствии справочных данных можно приблизительно полагать Uэб нас ≈ 0.5 В – для германиевых транзисторов и Uэб нас ≈ 1 В – для кремниевых;
в) определяем сопротивление резисторов R1 и R2, полагая, что
R1 = 0.8Rнас; R2 = 0.2Rнас:
R1 = 0.8Rнас = 0.8 ∙ 151 = 121 Ом;
R2 = 0.2Rнас = 0.2 ∙ 151 = 30 Ом.
7.5.4 Расчет параметров и выбор управляющего транзистора V1:
а) определяем максимальный коллекторный ток транзистора (в состоянии насыщения)
Iк1 нас =
б) определяем максимальное напряжение на коллекторе транзистора V1 (в состоянии отсечки) Uкэ1 отс. ≈ Ек
в) для установки в схему выбираем транзистор типа МП – 25А со следующими основными параметрами.
Максимально допустимый ток коллектора Iк макс доп = 400 мА.
Максимально допустимое напряжение
коллектор – эмиттер Uкэ макс доп = 40 В.
Остаточное падение напряжения
на открытом транзисторе ∆Uкэ нас В.
Коэффициент усиления β = 20
7.5.5 Расчет цепи запирания транзистора V2:
а) задаемся величиной запирающего напряжения на базе транзистора V2
Uзап 2 = 0.2 В;
б) определяем величину падения напряжения на резисторе R2, необходимого для запирания транзистора V2,
U = Uзап2 + ΔUкэ1 нас = 0.2 + 1 = 1.2 В;
в) определяем величину тока, проходящего через резистор R2, когда транзистор V2 находится в состоянии отсечки,
I =
г) проверяем условие I < Iк1 нас: 0.04 < 0.2;
д) определяем величину тока, протекающего через резистор R3, когда транзистор V2 находится в состоянии отсечки,
I = I + Iк 0 V = 40 + 0.2 = 40.2 мА;
е) определяем падение напряжения на резисторе R3
U = Eсм – Uзап2 = 6 – 0.2 = 5.8 В;
ж) определяем сопротивление резистора R3:
R3 =
7.5.6 Расчет параметров входного сигнала:
а) определяем входной ток, необходимый для перевода транзистора V1 в режим насыщения,
Iвх = Iб1 нас =
б) определяем напряжение входного сигнала по входной характеристике транзистора V1 (при отсутствии справочных данных принимаем приближенно Uвх ≈ 0.5 В)
Uвх ≈ 0.5 В;
в) определяем мощность входного сигнала
Рвх = Uвх Iвх = 0.5 ∙ 0.015 = 0.0075 Вт;
г) определяем коэффициент усиления каскада по мощности
КР =
7.5.7 Расчет параметров диода V3.
Диод V3 вводится в схему лишь в том случае, если нагрузка имеет активно – индуктивный характер (обмотка реле и т.п.), и служит для замыкания тока самоиндукции силового транзистора. В противном случае э.д.с. самоиндукции неизбежно вызывает пробой транзистора, что приводит к выходу его из строя.
Расчет параметров и выбор диода V3 производится в следующем порядке:
а) определяется максимальное напряжение на диоде V3
Ua3 макс = Eк = 24 B;
б) определяем максимальную величину тока диода V3
Ia3 макс = Iн макс = 2.08 А;
в) для установки в схему выбираем диод типа Д303 со следующими основными параметрами:
- максимально допустимый выпрямленный ток (среднее значение)
Iа макс доп. = 3.0 А.
- максимально допустимое обратное напряжение
Uобр макс (200 С) = 150 В;
Uобр макс (100 С) = 50 В.
Дата добавления: 2014-12-09; просмотров: 796;