Для хранения данных
Персональные компьютеры имеют четыре иерархических уровня памяти:
- микропроцессорная память (МПП);
- регистровая кэш-память;
- основная память (ОП);
- внешняя память (ВЗУ).
Две важнейших характеристики (емкость памяти и ее быстродействие) указанных типов памяти приведены в табл. 3.
Быстродействие первых трех типов запоминающих устройств измеряется временем обращения к ним, а быстродействие внешних запоминающих устройств двумя параметрами: временем доступа и скоростью считывания.
Оперативная память может строиться на микросхемах динамического (Dinamic Random Access Memory — DRAM) или статического (Static Random Access Memory — SRAM) типа.
Статическийтип памяти обладает существенно более высоким быстродействием, но значительно дороже динамического. В статической памяти элементы (ячейки) построены на различных вариантах триггеров — схем с двумя устойчивыми состояниями. После записи бита в такую ячейку она может пребывать в этом состоянии сколь угодно долго — необходимо только наличие питания. При обращении к микросхеме статической памяти на нее подается полный адрес, который при помощи внутреннего дешифратора преобразуется в сигналы выборки конкретных ячеек. Ячейки статической памяти имеют малое время срабатывания (единицы наносекунд), однако микросхемы на их основе имеют низкую удельную емкость (единицы мегабит на корпус) и высокое энергопотребление. Поэтому статическая память используется в основном в качестве микропроцессорной и буферной (кэш-память).
Тип памяти | Емкость | Быстродействие |
МПП | Десятки байт | tобр= 0,001-0,002 мкс |
Кэш-память | Сотни килобайт | tобр = 0,002-0,01 мкс |
ОП, в том числе: ОЗУ ПЗУ | ||
Десятки-сотни мегабайт | tобр = 0,005-0,02 мкс | |
Сотни килобайт | tобр = 0,035-0,1 мкс | |
ВЗУ, в том числе: НМД НГМД | ||
Единицы-десятки гигабайт | tдост= 6 - 30 мс Vсчит = 500 - 3000 Кбайт/с | |
Единицы мегабайт | tдост =65 – 100 мс Vсчит = 40 - 150 Кбайт/с | |
CD-ROM | Сотни мегабайт | tдост = 50 - 300 мс Vсчит =150 - 5000 Кбайт/с |
В динамической памяти ячейки построены на основе полупроводниковых областей с накоплением зарядов(своеобразных конденсаторов), занимающих гораздо меньшую площадь, нежели триггеры, и практически не потребляющих энергии при хранении. Конденсаторы расположены на пересечении вертикальных и горизонтальных шин матрицы; запись и считывание информации осуществляется подачей электрических импульсов по тем шинам матрицы, которые соединены с элементами, принадлежащими выбранной ячейке памяти. При обращении к микросхеме на ее входы вначале подается адрес строки матрицы, сопровождаемый сигналом RAS (Row Address Strobe — строб адреса строки), затем, через некоторое время — адрес столбца, сопровождаемый сигналом CAS (Column Address Strobe — строб адреса столбца). Поскольку конденсаторы постепенно разряжаются (заряд сохраняется в ячейке в течение нескольких миллисекунд), во избежание потери хранимой информации заряд в них необходимо постоянно регенерировать, отсюда и название памяти — динамическая. На подзаряд тратится и энергия и время, и это снижает производительность системы.
Ячейки динамической памяти по сравнению со статической имеют большее время срабатывания (десятки наносекунд), но большую удельную плотность (порядка десятков мегабит на корпус) и меньшее энергопотребление. Динамическая память используется для построения оперативных запоминающих устройств основной памяти ПК.
Регистровая кэш-память — высокоскоростная память сравнительно большой емкости, являющаяся буфером между ОП и МП и позволяющая увеличить скорость выполнения операций. Регистры кэш-памяти недоступны для пользователя, отсюда и название кэш (Cache), что в переводе с английского означает «тайник».
В современных материнских платах используется конвейерный кэш с блочным доступом (Pipelined Burst Cache). В кэш-памяти хранятся копии блоков данных тех областей оперативной памяти, к которым выполнялись последние обращения, и весьма вероятны обращения в ближайшие такты работы — быстрый доступ к этим данным и позволяет сократить время выполнения очередных команд программы. При выполнении программы данные, считанные из ОП с небольшим опережением, записываются в кэш-память. В кэш-память записываются и результаты операций, выполненных в МП.
По принципу записи результатов в оперативную память различают два типа кэш-памяти:
- в кэш-памяти «с обратной записью» результаты операций прежде, чем их записать в ОП, фиксируются, а затем контроллер кэш-памяти самостоятельно перезаписывает эти данные в ОП;
- в кэш-памяти «со сквозной записью» результаты операций одновременно, параллельно записываются и в кэш-память, и в ОП.
Микропроцессоры, начиная от МП 80486, имеют свою встроенную в основное ядро МП кэш-память (или кэш-память 1-го уровня — L1), чем, в частности, и обусловливается их высокая производительность. Микропроцессоры Pentium имеют кэш-память отдельно для данных и отдельно для команд: у Pentium емкость этой памяти небольшая — по 8 Кбайт, у Pentium ММХ — по 16 Кбайт. У Pentium Pro и выше кроме кэш-памяти 1-го уровня есть и встроенная на микропроцессорную плату кэш-память 2-го уровня (L2) емкостью от 128 до 2048 Кбайт. Эта встроенная кэш-память работает либо на полной тактовой частоте МП, либо на его половинной тактовой частоте.
Следует иметь в виду, что для всех МП может использоваться дополнительная кэш-память 2-го (L2) или 3-го (L3) уровня, размещаемая на материнской плате вне МП, емкость которой может достигать нескольких мегабайт (кэш на MB относится к уровню 3, если МП, установленный на этой плате, имеет кэш 2-го уровня). Время обращения к кэш-памяти зависит от тактовой частоты, на которой кэш работает, и составляет обычно 1-2 такта. Так, для кэш-памяти L1 МП Pentium характерно время обращения 2-5 нс, для кэш-памяти L2 и L3 это время доходит до 10 нс. Пропускная способность кэш-памяти зависит и от времени обращения, и от пропускной способности интерфейса и лежит в широких пределах от 300 до 3000 Мбайт/с.
Использование кэш-памяти существенно увеличивает производительность системы. Чем больше размер кэш-памяти, тем выше производительность, но эта зависимость нелинейная. Имеет место постепенное уменьшение скорости роста общей производительности компьютера с ростом размера кэш-памяти.
Постоянное запоминающее устройство (ПЗУ илиROM — Read Only Memory, память только для чтения) также строится на основе установленных на материнской плате модулей (кассет) и используется для хранения неизменяемой информации:
загрузочных программ операционной системы;
программ тестирования устройств компьютера и некоторых драйверов базовой системы ввода-вывода (BIOS) и т.д.
К ПЗУ принято относить энергонезависимые постоянные и полупостоянные запоминающие устройства, из которых оперативно можно только считывать информацию, запись информации в ПЗУ выполняется вне ПК в лабораторных условиях или при наличии специального программатора и в компьютере.
По технологии записи информации можно выделить ПЗУ следующих типов:
- микросхемы, программируемые только при изготовлении — классические или масочные ПЗУ или ROM;
- микросхемы, программируемые однократно в лабораторных условиях — программируемые ПЗУ (ППЗУ) или programinable ROM (PROM);
- микросхемы, программируемые многократно, — перепрограммируемые ПЗУ или erasable PROM (EPROM). Среди них следует отметить электрически перепрограммируемые микросхемы EEPROM (Electrical Erasable PROM), в том числеФЛЭШ-память (FLASH-память).
Устанавливаемые на системной плате ПК модули и кассеты ПЗУ имеют емкость, как правило, не превышающую 128 Кбайт. Быстродействие у постоянной памяти меньшее, нежели у оперативной, поэтому для повышения производительности содержимое ПЗУ копируется в ОЗУ, и при работе непосредственно используется только эта копия, называемая также теневой памятью ПЗУ (Shadow ROM).
В настоящее время в ПК используются полупостоянные, перепрограммируемые запоминающие устройства — FLASH-память. Модули или карты FLASH-памяти могут устанавливаться прямо в разъемы материнской платы и имеют следующие параметры: емкость от 32 Кбайт до 15 Мбайт (в ПЗУ используется до 128 Кбайт), время обращения по считыванию 0,035 - 0,2 мкс, время записи одного байта 2-10 мкс;
FLASH-память — энергонезависимое запоминающее устройство. Примером такой памяти может служить память NVRAM — Non Volatile RAM со скоростью записи 500 Кбайт/с. Обычно для перезаписи информации необходимо подать на специальный вход FLASH-памяти напряжение программирования (12 В), что исключает возможность случайного стирания информации. Перепрограммирование FLASH-памяти может выполняться непосредственно с дискеты или с клавиатуры ПК при наличии специального контроллера либо с внешнего программатора, подключаемого к ПК. FLASH-память может быть весьма полезной как для создания весьма быстродействующих, компактных, альтернативных НМД запоминающих устройств — «твердотельных дисков», так и для замены ПЗУ, хранящего программы BIOS, позволяя «прямо с дискеты» обновлять и заменять эти программы на более новые версии при модернизации ПК.
Логическая структура основной памяти
Структурно основная память состоит из миллионов отдельных ячеек памяти, емкостью 1 байт каждая. Общая емкость основной памяти современных ПК обычно лежит в пределах от 16 до 512 Мбайт. Емкость ОЗУ на один-два порядка превышает емкость ПЗУ: ПЗУ занимает 128 Кбайт, остальной объем — это ОЗУ. Каждая ячейка памяти имеет свой уникальный (отличный от всех других) адрес. Основная память имеет для ОЗУ и ПЗУ — единое адресное пространство.
Адресное пространство определяет максимально возможное количество непосредственно адресуемых ячеек основной памяти. Адресное пространство зависит от разрядности адресных шин, ибо максимальное количество разных адресов определяется разнообразием двоичных чисел, которые можно отобразить в празрядах, то есть адресное пространство равно 2n, где п — разрядность адреса. За основу в ПК взят 16-разрядный адресный код, равный по длине размеру машинного слова. При наличии 16-разрядного кода адреса можно непосредственно адресовать всего 216 = 65 536 = 64 К (К = 1024) ячеек памяти. Вот это 64-килобайтное поле памяти, так называемый сегмент, также является базовым в логической структуре ОП. Следует заметить, что в защищенном режиме размер сегмента может быть иным и значительно превышать 64 Кбайта.
Современные ПК (кроме простейших бытовых компьютеров) имеют основную память, емкостью существенно больше 1 Мбайт: память, емкостью 1 Мбайт является еще одним важным структурным компонентом ОП — назовем ее непосредственно адресуемой памятью (справедливо полностью только для реального режима). Для адресации 1 Мбайт = 220= 1 048 576 ячеек непосредственно адресуемой памяти необходим 20-разрядный код, получаемый в ПК путем использования специальных приемов структуризации адресов ячеек ОП.
Абсолютный(полный, физический) адрес(Аабс) формируется в виде суммы нескольких составляющих, чаще всего используемыми из которых являются: адрес сегмента и адрес смещения.
Адрес сегмента (Асегм) — это начальный адрес 64-килобайтного поля, внутри которого находится адресуемая ячейка.
Адрес смещения (Аасм) — это относительный 16-разрядный адрес ячейки внутри сегмента.
Асегм должен быть 20-разрядным, но если принять условие, что Асегм должен быть обязательно кратным параграфу (в последних четырех разрядах должен содержать нули), то однозначно определять этот адрес можно 16-разрядным кодом, увеличенным в 16 раз, что равносильно дополнению его справа четырьмя нулями и превращению его, таким образом, в 20-разрядный код. То есть условно можно записать:
Аабс = 16хАсегм + Аасм.
Программисты иногда используют еще две составляющие адреса смещения: адрес базы и адрес индекса. Следует отметить, что процессор ПК может обращаться к основной памяти, используя только абсолютный адрес, в то время как программист может использовать все составляющие адреса, рассмотренные выше.
В современных ПК существует режим виртуальной адресации (Virtual — кажущийся, воображаемый). Виртуальная адресация используется для увеличения адресного пространства ПК при наличии ОП большой емкости (простая виртуальная адресация) или при организации виртуальной памяти, в которую наряду с ОП включается и часть внешней (обычно дисковой) памяти. При виртуальной адресации вместо начального адреса сегмента Асегм в формировании абсолютного адреса Аабс принимает участие многоразрядный адресный код, считываемый из специальных таблиц. Принцип простой виртуальной адресации можно пояснить следующим образом. В регистре сегмента (обычно регистр DS) содержится не Асегм, а некий селектор, имеющий структуру:
ИНДЕКС F СЛ |
Здесь СЛ — вспомогательная служебная информация; F — идентификатор, определяющий тип дескрипторной таблицы для формирования Асегм (дескрипторные таблицы создаются в ОП при виртуальной адресации автоматически):
- если F = 0, то используется глобальная дескрипторная таблица (GDT), общая для всех задач, решаемых в ПК при многопрограммном режиме;
- если F = 1, то используется локальная дескрипторная таблица (LDT), создаваемая для каждой задачи отдельно;
- ИНДЕКС — адрес строки в дескрипторной таблице.
В соответствии с индексом и идентификатором из GLT или LDT считывается 64-битовая строка, содержащая, в частности, и адрес сегмента. Разрядность этого адреса зависит от размера адресного пространства микропроцессора, точнее равна разрядности его адресной шины. Подобная виртуальная адресация используется при защищенном режиме работы микропроцессора. Для большей плотности размещения информации в оперативной памяти (уменьшения сегментированности, характерной для многопрограммного режима) часто используется сегментно-страничная адресация, при которой поля памяти выделяются программам внутри сегментов страницами, размером от 2 до 4 Кбайт. Формирование сегментно-страничной структуры адресов выполняется автоматически операционной системой.
Виртуальная память создается при недостаточном объеме оперативной памяти, не позволяющем разместить в ней сразу всю необходимую информацию для выполняемого задания. При загрузке очередной задачи в оперативную память необходимо выполнить распределениемашинных ресурсов, в частности оперативной памяти между компонентами одновременно решаемых задач (в принципе, оперативной памяти может не хватить и для решения одной сложной задачи). При подготовке программ используются условные адреса, которые должны быть затем привязаны к конкретному месту в памяти. Распределение памяти может выполняться или в статическом режиме до загрузки программы в ОП, или в динамическом режиме автоматически в момент загрузки программы. Статическое распределение памяти весьма трудоемко, поэтому применяется редко. Если очевидно, что реальная память меньше требуемого программой адресного пространства, программист может вручную разбить программу на части, вызываемые в ОП по мере необходимости, — создать оверлейную структуру программы. Обычно же используется режим динамического распределения памяти.
При динамическом распределении памяти в случае недостаточной емкости ОП полезно воспользоваться виртуальной памятью. В режиме виртуальной памяти пользователь имеет дело не с физической ОП, действительно имеющейся в ПК, а с виртуальной (кажущейся) одноуровневой памятью, емкость которой равна всему адресному пространству микропроцессора. На всех этапах подготовки программы, включая ее загрузку в оперативную память, в программе используются виртуальные адреса и лишь при непосредственном исполнении машинной команды выполняется преобразование виртуальных адресов в реальные физические адреса ОП. При этом реально программа может размещаться частично в ОП, частично во внешней памяти.
Технология организации виртуальной памяти следующая. Физические оперативная и дисковая (привлеченная к задаче) память и виртуальная память разбиваются на страницы одинакового размера по 4 Кбайта. Страницам виртуальной и физической памяти присваиваются номера, которые сохраняются одними и теми же на весь период решения задачи. Операционная система формирует две таблицы:
страниц виртуальной памяти;
физического размещения страниц,
и устанавливает логические связи между ними (рис.1).
На рисунке видно, что физические страницы могут находиться в текущий момент времени как в оперативной, так и во внешней памяти. Из внешней памяти виртуальные страницы автоматически перемещаются в оперативную только тогда, когда к ним происходит обращение. При этом они замещают уже отработавшие страницы.
Рис.1
Страничные таблицы для каждой программы формируются операционной системой в процессе распределения памяти и изменяются каждый раз, когда физические страницы перемещаются из ВЗУ в ОП.
Виртуальная память может иметь и сегментно-страничную организацию. В этом случае виртуальная память делится сначала на сегменты, а внутри них на страницы. Принцип организации такой памяти аналогичен рассмотренному выше.
Для ПК характерно стандартное распределение непосредственно адресуемой памяти, то есть 1-мегабайтной области ОП между ОЗУ и ПЗУ и между функционально ориентированной информацией (рис. 2).
Стандартная память 640К | Верхняя память 384К | |||
64К Область служебных программ и данных ОС | 576К Область программ и данных операционной системы и пользователя | 256К Область видеопамяти дисплея и служебных программ | 128К Область ПЗУ — программ BIOS | |
ОЗУ | ПЗУ | |||
Рис. 2
Основная память в соответствии с методами обращения и адресации делится на отдельные, иногда частично или полностью перекрывающие друг друга области, имеющие общепринятые названия. В частности, обобщенно логическая структура основной памяти ПК общей емкостью 64 Мбайт представлена на рис. 3.
Непосредственно адресуемая память | Расширенная память | ||
Стандартная память | Верхняя память | Высокая память | |
0 640К | 640К 1024К | 1024К 1088К | 1088К 64М |
Рис. 3
Прежде всего, основная память компьютера делится на две логические области:
непосредственно адресуемую память, занимающую первые 1024К ячеек с адресами от 0 до 1024К - 1, и расширенную память, доступ к ячейкам которой возможен при использовании специальных программ-драйверов или в защищенном режиме работы микропроцессора.
Стандартной памятью (СМА — Conventional Memory Area) называется непосредственно адресуемая память в диапазоне от 0 до 640 Кбайт.
Непосредственно адресуемая память в диапазоне адресов от 640 до 1024 Кбайт называется верхней памятью (UMA — Upper Memory Area). Верхняя память зарезервирована для памяти дисплея (видеопамяти) и постоянного запоминающего устройства. Однако обычно в верхней памяти остаются свободные участки - «окна», которые могут быть использованы при помощи программ управления памятью (драйверов) в качестве оперативной памяти общего назначения.
Расширенная память — это память с адресами 1024 Кбайт и выше. Имеется два основных способа доступа к этой памяти:
- по спецификацииXMS (эту память называют тогда ХМА — eXtended Memory Area);
- по спецификацииEMS (память называют ЕМ — Expanded Memory).
Доступ к расширенной памяти согласно спецификацииXMS (Extended Memory Specification) организуется при использовании специальных драйверов (например, ХММ — Extended Memory Manager) путем пересылки по мере необходимости отдельных полей ХМА в свободные области верхней памяти (UMA). Эту память иногда называют дополнительной.
СпецификацияEMS (Expanded Memory Specification) является более ранней. Согласно этой спецификации доступ реализуется не путем пересылки, а лишь путем отображения по мере необходимости отдельных полей Expanded Memory в свободные области верхней памяти. Отображение организуется путем динамического замещения адресов полей ЕМА в свободных «окнах» UMA; в окне UMA при этом хранится не обрабатываемая информация, а лишь адреса, обеспечивающие доступ к этой информации. Память, организуемая по спецификации EMS, носит название отображаемой, поэтому и сочетание слов Expanded Memory (ЕМ) часто переводят как отображаемая память (хотя термин Expanded почти идентичен термину Extended и более точно переводится как расширенный, увеличенный). Для организации отображаемой памяти необходимо воспользоваться драйвером EMM.EXE (Expanded Memory Manager). Отображаемая память медленная и поэтому она постепенно уступает место Extended Memory.
Расширенная память может быть использована главным образом для хранения данных и некоторых программ ОС. Часто расширенную память используют для организации виртуальных (электронных) дисков. Исключение составляет небольшая 64-килобайтная область памяти с адресами от 1024 до 1088 Кбайт (так называемая высокая память, иногда ее называют старшая:НМА — High Memory Area), которая может адресоваться и непосредственно при использовании драйвера HIMEM.EXE (High Memory Manager), например. НМА может использоваться для хранения любой информации, в том числе и программ пользователя. Возможность непосредственной адресации высокой памяти обусловлена особенностью сегментной адресации ячеек ОП, ибо в этой концепции максимально возможный адрес ячейки памяти с непосредственной адресацией формируется из максимально возможного адреса сегмента FFFFF, то есть 10242 - 1 — верхняя граница непосредственно адресуемой верхней памяти, плюс максимально возможный адрес смешения в этом сегменте FFFF — получаем верхнюю границу непосредственно адресуемой высокой памяти.
Устройство внешней памяти (в литературе часто встречается и другая терминология, например, внешнее запоминающее устройство (ВЗУ) или накопитель информации) – это любое запоминающее устройство, связанное с ПЭВМ и управляемое ею, но в конструктивном отношении выполненное отдельно. Чаще всего ВЗУ подключаются с помощью многожильных кабелей непосредственно к материнской плате персонального компьютера, но для некоторых типов ВЗУ предусмотрено подключение к параллельному порту, разъем которого расположен на задней стенке корпуса компьютера. Для управления режимами работы ВЗУ, а также обменом данными между ВЗУ и микропроцессором компьютера, используются контроллеры – своеобразные посредники между ВЗУ и ПЭВМ.
Устройства внешней памяти (накопители информации) предназначены для обеспечения долговременного хранения больших объемов данных. Наибольшее распространение в ПЭВМ получили накопители информации на магнитных дисках (НМД). Такие ВЗУ используют известный в технике звукозаписи принцип записи и допускают многократное считывание и запись новой информации на место ранее записанной. Большая емкость и малая стоимость хранения бита информации являются их основными преимуществами. Однако кроме них в персональных компьютерах все большее применение находят и другие технические средства долговременного хранения информации, например, накопители на оптических дисках, накопители на магнитной ленте и др.
Основными характеристиками ВЗУ являются:
емкость;
быстродействие;
Дата добавления: 2014-12-09; просмотров: 2420;