Генераторы сигналов прямоугольной формы
Генераторы сигналов прямоугольной формы называют мультивибраторами за исключением некоторых типов магнитно-транзисторных генераторов, имеющих собственные названия.
На рис. 7.8, а показана схема транзисторного мультивибратора. Она содержит два транзисторных однокаскадных усилителя, состоящих из транзистора VT1 (VT2), коллекторного резистора Rк1 (Rк2) и базового резистора Rб1 (Rб2). Связь между усилителями осуществляется при помощи конденсаторов С1 и С2. В схеме существует глубокая положительная обратная связь, которая приводит к самовозбуждению. При этом в схеме возможны два квазиустойчивых состояния: транзистор VT1 закрыт, а транзистор VT2 открыт, другое состояние - транзистор VT1 открыт, а транзистор VT2 закрыт. Открытое состояние транзисторов обеспечивается выбором соотношения между резисторами Rк и Rб (Rб £ bRк, где b - коэффициент усиления транзистора по току).
На рис. 7.8, б приведена временная диаграмма работы мультивибратора. Допустим, что в промежутке времени t0 – t1 транзистор VT1 закрыт (Uк1 = Eк), а транзистор VT2 открыт (Uк1 = 0). Транзистор VT1 удерживается в закрытом состоянии напряжением конденсатора С2, который будучи перед этим заряжен до напряжения питания теперь положительной обкладкой подключен к базе VT1, а отрицательной через открытый транзистор VT2 – к эмиттеру VT1. Напряжение на базе VT1 Uб1 в начале интервала равно Eк (см. рис. 7.8, б). Длительность интервала времени, в течение которого VT1 будет в закрытом состоянии зависит от постоянной времени разряда конденсатора С2. Конденсатор С2 разряжается по цепи: +Ек (общий провод), открытый транзистор VT2, конденсатор С2, резистор Rб1, -Ек. Постоянная времени цепи разряда равна tр1 = Rб1С2. К моменту времени t1 конденсатор С2 разрядится до нуля и напряжение Uб1 станет равным нулю (см. Uб1 на рис. 7.8, б).
В промежутке времени t0 – t¢0 конденсатор С1 зарядился до напряжения Ек по цепи: +Ек (общий провод), переход эмиттер-база VT2, конденсатор С1, резистор Rк1, -Ек. Постоянная времени цепи заряда равна tз1 = Rк1С1. Поскольку Rк1 << Rб1, то и tз1 << tр1. Однако заряд конденсатора приводит к искажению фронта выходного импульса мультивибратора. На рис.91, б видно, что в промежутке времени t0 – t¢0 имеется всплеск импульса тока Iб2, соответствующий заряду конденсатора С1. Этот импульс тока, проходя по резистору Rк1, создает на нем падение напряжения, искажающее передний фронт импульса напряжения Uк1, которое является выходным напряжением Uвых1.
В момент t1, когда напряжение на базе транзистора VT1 становится равным нулю, транзистор начинает приоткрываться и обкладка конденсатора С1, имеющая отрицательный заряд, будет «притягиваться» через открывающийся транзистор VT1 к общему проводу, т.е. к эмиттеру VT2. Вторая обкладка С1, имеющая положительный заряд, подключена к базе VT2, поэтому транзистор VT2 начинает закрываться. Увеличивающийся потенциал его коллектора через конденсатор С2 поступает на базу транзистора VT1 открывая его еще больше. Процесс развивается лавинообразно. В результате транзистор VT1 открывается, а транзистор VT2 закрывается. К базе транзистора VT2 прикладывается положительное напряжение Uб2 конденсатора С1, удерживающее его в закрытом состоянии, пока происходит его разряд с постоянной времени tр2 = Rб2С1 (см. Uк2 и Uб2 на рис. 7.8, б).
Напряжение на коллекторе VT2 (выходное напряжение Uвых2) увеличивается до Ек за время t1 - t¢1, пока происходит заряд конденсатора С2 по цепи: +Ек (общий провод), переход эмиттер-база VT1, конденсатор С2, резистор Rк2, -Ек. Постоянная времени, определяющая длительность фронта выходного импульса Uвых2, равна tз2 = Rк2С2.
В дальнейшем, в интервале t2 – t3 и т.д. процессы повторяются. Частота выходных импульсов мультивибратора определяется длительностями разряда конденсаторов С1 и С2
f = 1/T = 1/(tк1 + tк2) » 1/0,7(Rб1С2 + Rб2С1).
Недостатком рассмотренного простейшего транзисторного мультивибратора является пологий фронт формируемого импульса. Этот недостаток устраняется введением в схему так называемых отсекающих диодов. На рис. 7.9, а представлена схема мультивибратора с отсекающими диодами. В схеме предусмотрена возможность регулирования частоты и скважности выходных импульсов.
Для заряда конденсаторов в схеме предусмотрены специальные зарядные резисторы Rз1 и Rз2, которые отделены от коллекторных резисторов Rк1 и Rк2 отсекающими диодами VD1 и VD2. Поэтому в момент перехода транзистора в закрытое состояние (фронт выходного импульса) ток заряда конденсатора течет по зарядному резистору, а отсекающий диод заперт.
На временных диаграммах (рис. 7.9, б) видно, что фронты выходных импульсов стали крутыми.
В схеме рис. 7.9, а можно регулировать частоту импульсов. При помощи потенциометра Rр2 можно регулировать величину напряжения, до которого заряжаются конденсаторы. Время разряда конденсаторов, определяющее частоту выходных импульсов, напрямую зависит от величины этого напряжения.
При помощи потенциометра Rр1 можно регулировать скважность (величина, обратная коэффициенту заполнения) импульсов. Перемещение движка потенциометра в одну или другую сторону приводит к увеличению постоянной времени разряда одного конденсатора и уменьшению – другого при неизменной сумме длительностей разряда обоих конденсаторов (период импульса).
Дата добавления: 2014-12-09; просмотров: 1636;