Схемы транзисторных ключей

 

 

Транзисторные ключи выполняют насыщенными и ненасыщен­ными.

Насыщенные ключи в открытом состоянии отличаются большой стабильностью (изменение внешней загрузки, т. е. тока в цели коллектора, не выводит транзистор из режима насыщения). В от­крытом и закрытом состоянии насыщенные ключи потребляют незна­чительную мощность, так как в первом случае напряжение на переходе эмиттер — коллектор близко к нулю, а во втором — ток в цепи кол­лектора близок к нулю. Насыщенные ключи обеспечивают большой перепад выходного напряжения. Однако по быстродействию насыщен­ные ключи уступают ненасыщенным: рассасывание накопившихся в ба­зе носителей занимает определенное время.

На рис. 7.4 приведена схема распространенного насыщенного ключа с общим эмиттером. При подаче входного напряжения - Uвх (мину­сового) на базу возрастает базовый ток, сила которого ограничивается резистором R. Транзистор переходит в насыщенный режим, когда коллекторный ток ограничивается только резистором Rk:

Iкн»Ек/Rк.

Во время действия входного напряжения коллекторный ток насы­щения Iкн остается практически неизменным. Для того чтобы обеспе­чить режим насыщения, необходим ток базы

Iб³Iкн/b,

где b — коэффициент передачи тока базы, который для разных тран­зисторов имеет значения 19—99.

Источник Еб надежно закрывает транзистор, так как подключается «плюсом» на базу при отключении входного напряжения. Если источ­ника Еб нет и Uвх=0, транзистор не закроется. Источник питания Ек в цепи базы создает обратный ток коллектора Iко, который в боль­шой степени зависит от температуры (иногда его называют тепловым током). При нормальной температуре тепловой ток составляет единицы или десятки микроампер, но с повышением температуры быстро возра­стает. Так, для германиевых транзисторов на каждые 10°С изменения температуры сверх 20°С ток Iко возрастает приблизительно вдвое.

Обратный ток коллектора Iко на резисторе R создает падение на­пряжения с отрицательной полярностью на базе, которая может быть достаточной для открытого состояния транзистора. Поэтому напряжение Еб должно компенсировать отрицательную полярность базы при максимальной ра­бочей температуре. Тепловой ток Iко протекает частично по резистору Rб и создает на нем падение напряжения.

В закрытом состоянии транзистора напряжение на переходе база —эмиттер

,

после упрощения: или , где - максимальный обратный ток транзистора при максимальной температуре. Напряжение смещения принимают равным 1,5 – 2,5 В.

Напряжение Uбэ должно обеспечить напряжение 0,05 - 0,1 B с положитель­ной полярностью на базе для надежного закрывания. Обратный ток коллектора Iко не зависит от источни­ка Еб. При большом сопротивлении Rб и достаточно высокой температуре падение напряжения на Rб может оказаться больше, чем Еб и транзистор не закроется. Эти обстоятельства принимают во вни­мание при выборе Rб и Еб.

Условие насыщения выполняется при т.е.

.

Конденсатор С ускоряющий, так как сокращает время переключе­ния транзистора. При подаче входного сигнала конденсатор заряжает­ся, шунтируя резистор R . Поэтому на время заряда ток базы увеличи­вается, что способствует ускорению перехода транзистора из закрытого состояния в открытое. К моменту окончания заряда конденсатора ток базы будет ограничен только резистором R.

При снятии входного сигнала конденсатор раз­ряжается через внутренние сопротивления источников Еб и Uвх. По­ложительный потенциал базы увеличивается, и транзистор быстрее переходит в закрытое состояние.

На рис. 7.5 приведена схема ненасыщенного ключа, в которой насыщение транзистора исключается из-за диода VD. В про­цессе открывания транзистора отрицательный потенциал коллектора уменьшается. Диод VD открывается, когда потенциал анода превысит потенциал катода. После этого напряжение на переходе эмиттер — коллектор Uк будет больше Е1 на значение падения напряжения на открытом диоде VD. Полного насыщения транзистора не происходит, так как напряжение Uк не может уменьшиться.

После открывания диода VD увеличение тока коллектора Iк при­водит к увеличению тока через диод VD, а ток через резистор Rк ос­тается практически неизменным.

При поступлении запирающего сигнала начинают уменьшаться ток Iк и ток через диод VD, а ток через резистор Rк и выходное напряжение Uвых не будут изменяться до тех пор, пока ток через диод не станет равным нулю, т. е. пока не закроется диод. Задержка закрывания тран­зистора является недостатком этой схемы.

Ненасыщенный ключ имеет свои недостатки: остаточное напряжение в открытом состоянии больше, чем у насыщенного, схема имеет меньшую помехоустойчивость и термостабильность.








Дата добавления: 2014-12-09; просмотров: 3260;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.008 сек.