Транзистор как активный четырехполюсник, h-параметры транзистора

Транзистор можно представить как линейный четырехполюсник, если в качестве измеряемых токов и напряжений принимать небольшие их приращения, накладывающиеся на постоянные составляющие. Такие ограничения приходится принимать, так как входные и выходные характеристики транзистора нелинейны. Для небольших приращений напряжений и токов параметры транзистора можно считать линейными, что позволяет представить транзистор в виде линейного четырехполюсника.

Связь между входными (U1, I1) и выходными (U2, I2) напряжениями и токами четырехполюсника (рис. 3.28) выражается системой двух уравнений. Выбрав два из входящих в эту систему параметров за независимые переменные, находят два других.

Для транзистора как четырехполюсника в качестве независимых переменных выбирают приращение входного тока ∆I1 и выходного напряжения ∆U2, а приращения входного напряжения ∆U1 и выходного тока ∆I2 выражают через h-параметры транзистора.

∆U1 = h11∆I1 + h12∆U2, (3.7)

∆I2 = h21∆I1 + h22∆U2. (3.8)

Все h-параметры имеют конкретный физический смысл и отражают параметры транзистора в соответствующей схеме включения.

Параметр h11 найдем из уравнения (3.7), положив ∆U2 = 0, т.е U2 = const

. (3.9)

Из уравнения (3.9) следует, что это входное сопротивление транзистора.

Параметр h12 найдем из уравнения (3.7), положив ∆I1 = 0, т.е I1= const

. (3.10)

Из уравнения (3.10) следует, что это коэффициент обратной связи транзистора по напряжению.

Параметр h21 найдем из уравнения (3.8), положив ∆U2 = 0, т.е U2 = const

. (3.11)

Из уравнения (3.11) следует, что это коэффициент усиления транзистора. по току.

Параметр h22 найдем из уравнения (3.8), положив ∆I1 = 0, т.е I1= const

. (3.12)

Из уравнения (3.12) следует, что это выходная проводимость транзистора.

Выражения (3.9) - (3.12) выведены без учета схемы включения транзистора. Для конкретной схемы включения транзистора необходимо использовать соответствующие данной схеме входные и выходные токи и напряжения. Для примера приведем систему h-параметров транзистора, включенного по схеме ОЭ.

Входное сопротивление h11(э) транзистора, включенного по схеме ОЭ

. (3.13)

Коэффициент обратной связи по напряжению h12(э) транзистора, включенного по схеме ОЭ

. (3.14)

Коэффициент усиления по току h21(э) транзистора, включенного по схеме ОЭ равен коэффициенту b, определенному ранее (h21(э) = b)

. (3.15)

Выходная проводимость h22(э) транзистора, включенного по схеме ОЭ

. (3.16)

Для определения h-параметров иногда применяют графоаналитический метод, основанный на использовании вольт-амперных характеристик транзистора. На рис. 3.29 показан пример определения h-параметров транзистора, включенного по схеме ОЭ.

Входное сопротивление h11(э) определяют по входной характеристике транзистора (рис. 3.29, б), снятой при напряжении Uкэ = 2 В. Входные характеристики, снятые при напряжениях Uкэ > 2, практически будут совпадать с ней, вследствие очень малой величины коэффициента обратной связи h12(э) ≈ e.

Входная характеристика Iб = F(Uэб) имеет нелинейный характер и в разных точках характеристики сопротивления h11(э) будут различны. Поэтому сопротивление определяют в точке с током базы I0б, соответствующем режиму работы транзистора по постоянному току. Для определения h11(э) проводят касательную к входной характеристике в точке, соответствующей току I, и, определив приращения ∆Uэб и ∆Iб находят по формуле (3.13) величину дифференциального входного сопротивления

h11(э) = ∆Uэб/∆Iб = d Uэб/dIб. (3.13, а)

Коэффициент обратной связи по напряжению h12(э) по вольт-амперным характеристикам не снимают ввиду его очень малой величины.

Коэффициент усиления по току h21(э) определяют по семейству выходных характеристик (рис. 3.29, а). Для этого выбирают две характеристики Iк = F(Uкэ), соответствующие двум токам базы, например, Iб2 и Iб3. Проводят вертикальную линию из точки соответствующей напряжению на коллекторе транзистора, например Uкэ1, до пересечения с указанными характеристиками. Затем находят токи коллектора Iк2 и Iк3 на этих характеристиках и по формуле (3.15) определяют коэффициент усиления транзистора в схеме ОЭ

h21(э) = ∆Iк/∆Iб = (Iк3 - Iк2)/( Iб3 - Iб2).

Выходную проводимость h22(э) определяют по выходной характеристике Iк = F(Uкэ), снятой при токе базы, соответствующем режиму работы транзистора по постоянному току, например, Iб = Iб4 (рис. 3.29, а). На характеристике отмечают две точки, соответствующие двум напряжениям Uкэ, и находят приращение тока ∆Iк, соответствующее приращению напряжения ∆Uк. Затем по формуле (3.16) находят выходную проводимость

h22(э) = ∆Iк/∆Uк,

которая определяет наклон характеристики Iк = F(Uкэ) к оси абсцисс. Величина, обратная h22(э), есть выходное сопротивление rвых(э) транзистора в схеме ОЭ.

Обозначения транзисторов, как и диодов состоят из шести элементов. С отличием: вторая буква Т – биполярный транзистор, П – полевой.

Биполярные транзисторы, достигнувшие пре­дельных параметров 1400 В / 200 А и широко приме­нявшиеся последние два деся­тилетия прошлого столетия, бу­дут постепенно вытесняться и заменяться биполярными тран­зисторами с изолированным затвором (IGBT).








Дата добавления: 2014-12-09; просмотров: 3717;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.007 сек.