Биполярные транзисторы (bjt)

Биполярный транзистор представляет собой трехслойную полупроводниковую структуру с чередующимся типом проводимости слоев и содержит два p-n-перехода. В зависимости от чередования слоев существуют транзисторы типов p-n-p и n-p-n (рис. 3.24, а, б). Их условное обозначение на схемах электрических принципиальных показано на рис. 3.24, в, г. В качестве исходного материала для получения трехслойной структуры используют германий или кремний (германиевые и кремниевые транзисторы).

Трехслойная транзисторная структура создается по сплавной или диффузионной технологии. Трехслойная транзисторная структура типа p-n-p, выполненная по сплавной технологии, показана на рис. 3.24, д. Пластина полупроводника n-типа является основанием, б а з о й (отсюда и название слоя) конструкции. Два наружных p-слоя создаются в результате диффузии в них акцепторной примеси при сплавлении с соответствующим материалом. Один из слоев называется э м и т т е р н ы м, а другой к о л л е к т о р н ы м. Также называются и p-n-переходы, создаваемые этими слоями, а также и внешние выводы от этих слоев.

Функция эмиттерного перехода – инжектирование (эмиттирование) носителей заряда в базу. Функция коллектороного перехода – сбор носителей заряда, прошедших через базовый слой. Чтобы носители заряда, инжектируемые эмиттером и проходящие через базу, полнее собирались коллектором, площадь коллекторного перехода делают больше площади эмиттерного перехода. Пример конструктивного исполнения маломощного транзистора показан на рис. 3.24, е.

В транзисторах типа n-p-n функции всех трех слоев и их названия аналогичны, изменяется лишь тип носителей заряда, проходящих через базу: в приборах типа p-n-p – это дырки, а в приборах типа n-p-n – электроны.