Полевые транзисторы с индуцированным каналом
Структура полевого транзистора n-типа проводимости с индуцированным каналом представлена на рисунке 52.
Когда напряжение затвор-исток полевого транзистора, изображённого на рисунке, отсутствует, либо к затвору приложено напряжение отрицательной полярности, канал не возникает и ток стока транзистора не течёт. Когда на затор транзистора подано напряжение положительной полярности относительно истока, возникнет электрическое поле, втягивающее в область под затвором электроны, которые находились в подложке на правах неосновных носителей заряда. А дырки из канала полем будут оттеснены в подложку, обладающую p-типом проводимости.
Рисунок 52 – Структура n-канального транзистора с индуцированным каналом
Концентрация электронов в локальном участке полупроводника под затвором между стоком и истоком возрастает относительно концентрации дырок, то есть имеет место смена типа проводимости и возникает, или как говорят, индуцируется, канал. В результате происходит движение носителей заряда по каналу, и течёт ток стока. Стокозатворные характеристики полевых транзисторов с индуцированным каналом p-типа и n-типа проводимостей даны на рисунке 53.
Рисунок 53 – Сток – затворные характеристики транзисторов с индуцированным каналом
Дата добавления: 2014-12-22; просмотров: 1001;