Биполярный транзистор
1.4.1 Ознакомиться с приборами стенда для исследования биполярного транзистора и однокаскадного транзисторного усилителя переменного напряжения.
1.4.2 Собрать схему, изображенную на рисунке 1.1, для снятия семейства входных вольт-амперных характеристик биполярного транзистора IБ(UБЭ) при UКЭ=const и выяснить назначение элементов и измерительных приборов схемы.
Рис. 1.1. Принципиальная электрическая схема (упрощенная)
для снятия входных ВАХ биполярного транзистора
1.4.3 Снять семейство входных статических характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером для фиксированных значений напряжения коллектор-эмиттер, заданных преподавателем.
Данный этап исследования выполняется в следующей последовательности:
1) на коммутационной панели стенда с мнемосхемой, изображенной на рисунке 1.2, переключатель S12 установить в положение "–UВХ", а ручки регуляторов напряжений UВХ и EК установить на отметки "0";
Рис. 1.2. Мнемосхема коммутационной панели стенда С-4
2) переключатели S1, S3, S4, S6, S9, S11 замкнуть, а переключатели S2 и S5 установить в разомкнутое положение;
3) подключить милливольтметр постоянного тока к гнездам Х1 и Х2 для измерения напряжения эмиттер-база UЭБ, что приведет к образованию схемы, изображенной на рисунке 1.3;
4) измерить напряжение UЭБ, изменяя ток базы IБ в пределах 0–200 мкА при UКЭ = EК, которое установить регулятором "Рег. напр. ЕK" в соответствии с указанием преподавателя;
5) записать данные измерений в таблицу 1.1 и построить входные ВАХ биполярного транзистора VT;
6) для указанной преподавателем ВАХ рассчитать дифференциальное входное сопротивление транзистора RД.ВХ в средней части её графика.
Рис. 1.3. Принципиальная электрическая схема для снятия входных
и выходных вольт-амперных характеристик транзистора
Таблица 1.1
Дата добавления: 2016-03-20; просмотров: 811;