Биполярный транзистор

1.4.1 Ознакомиться с приборами стенда для исследования биполярного транзистора и однокаскадного транзисторного усилителя переменного напряжения.

1.4.2 Собрать схему, изображенную на рисунке 1.1, для снятия семейства входных вольт-амперных характеристик биполярного транзистора I_Б(U_БЭ) при U_КЭ=const и выяснить назначение элементов и измерительных приборов схемы.

Рис. 1.1. Принципиальная электрическая схема (упрощенная)

для снятия входных ВАХ биполярного транзистора

1.4.3 Снять семейство входных статических характеристик биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером для фиксированных значений напряжения коллектор-эмиттер, заданных преподавателем.

Данный этап исследования выполняется в следующей последовательности:

1) на коммутационной панели стенда с мнемосхемой, изображенной на рисунке 1.2, переключатель S12 установить в положение "–U_ВХ", а ручки регуляторов напряжений U_ВХ и E_К установить на отметки "0";

Рис. 1.2. Мнемосхема коммутационной панели стенда С-4

2) переключатели S1, S3, S4, S6, S9, S11 замкнуть, а переключатели S2 и S5 установить в разомкнутое положение;

3) подключить милливольтметр постоянного тока к гнездам Х1 и Х2 для измерения напряжения эмиттер-база U_ЭБ, что приведет к образованию схемы, изображенной на рисунке 1.3;

4) измерить напряжение U_ЭБ, изменяя ток базы I_Б в пределах 0–200 мкА при U_КЭ = E_К, которое установить регулятором "Рег. напр. Е_K" в соответствии с указанием преподавателя;

5) записать данные измерений в таблицу 1.1 и построить входные ВАХ биполярного транзистора VT;

6) для указанной преподавателем ВАХ рассчитать дифференциальное входное сопротивление транзистора R_Д.ВХ в средней части её графика.

Рис. 1.3. Принципиальная электрическая схема для снятия входных

и выходных вольт-амперных характеристик транзистора

Таблица 1.1