Двухтактный инвертор с самовозбуждением.

Наиболее распространенной является схема двухтактного инвертора при включении транзисторов по схеме с ОЭ, содержащая насыщающийся трансформатор.

Рис 2.5.3.

Переключение транзисторов в ней происходит из-за насыщения сердечника трансформатора. Магнитопровод должен быть из материала с прямоугольной петлей гистерезиса (ППГ). Транзисторы VT1 и VT2 поочередно подключают источник питания U_п к первичным полуобмоткам трансформатора, вызывая изменение магнитной индукции в магнитопроводе от одного предельного значения (-Bs) до другого (+Bs). Входные цепи VT1 и VT2 питаются от обмоток положительной обратной связи (ПОС) с числом витков W₃. Нагрузка подключается ко вторичной обмотке.

При включении напряжения питания U_п в силу неидентичности характеристик транзисторов токи VT1 и VT2 не равны. Пусть i_к1 > i_к2. Ток намагничивания i_m = i_к1 - i_к2, протекая по обмотке W1, индуцирует во всех обмотках ЭДС определенной полярности.

Рис 2.5.4.

С обмоток ПОС на базу VT1 подается отрицательное, а на базу VT2 – положительное напряжение возбуждения U_б1 = U_ос + U_R2. VT1 еще больше открывается, а VT2 – закрывается. Рабочая точка перемещается по динамической характеристике из положения А в положение Б; затем в В и VT1 входит в режим насыщения, c i_к1=I_кн, U_к= U_кн. К первой полуобмотке прикладывается напряжение U₁ = U_п – U_кн1. Так как u₁ = -W₁S (dB/dt), сердечник перемагничивается с постоянной скоростью

(dB/dt) = (U_п – U_кн1)/SW₁ , (2.5.1)

где S – площадь сечения сердечника.

По ППГ рабочая точка перейдет из положения (1) в (2). Это линейный процесс, при котором формируется вершина импульса выходного напряжения u₂.

. (2.5.2)

В конце этого этапа, когда состояние изменяется от (2) до (3), сердечник насыщается, магнитная проницаемость mуменьшается, увеличивается ток намагничивания i_m, и, как следствие, увеличивается i_к1=I_km. На динамической характеристике это точка В. Но рост тока i_к1 ограничивается величиной напряжения питания и током базы транзистора. Так как изменения индукции, ни не происходит, ЭДС во всех обмотках падают до нуля, U_к1увеличивается и VT1 выходит из насыщения. С этого момента начинается лавинообразный процесс, который приводит к переключению транзисторов.

Рис 2.5.5.

Увеличение U_к1 приведет к уменьшению напряжения на первичной полуобмотке трансформатора . Это вызовет уменьшение магнитного потока Ф и индукции В (точка 4), что вызовет во всех обмотках наведение ЭДС обратной полярности. Теперь на базу VT1 подается положительное напряжение, а на базу VT2 – отрицательное.

Рабочая точка мгновенно перемещается из точки В в Г, а затем в точку Д (к закрытому VT1 прикладывается удвоенное напряжение питания)

(2.5.3)

I_к1= I_к0≈0. VT1 закрывается, VT2 открывается. После запирания ранее открытого VT1 начнется второй медленный этап – спад индукции в сердечнике от +B_s до –B_s из точки 4 в точку 5. Время запирания и отпирания транзисторов Т_к/2, в течение которых индукция меняется от B_m до B_s, мало по сравнению с величиной полупериода Т/2, поэтому время изменения индукции от –В_s до +B_s практически происходит за Т/2: рабочая точка проходит путь 2В_s по петле гистерезиса со скоростью dB/dt за время (Tл/2= T/2), то есть.

Подставим сюда dB/dt из (2.5.1) и определим частоту колебаний инвертора:

. (2.5.4)

При расчете частоты инвертора, работающего на повышенной частоте, нужно учитывать длительность коммутационных процессов Т_к. Т_к зависит от инерционности транзистора и для этой схемы равна времени рассасывания заряда неосновных носителей в базах транзисторов.

Одной из особенностей инвертора с самовозбуждением является возникновение значительных выбросов коллекторных токов. Оценим величину этих выбросов.

Для уверенного и глубокого насыщения транзистора амплитуда базового тока выбирается в К₁ раз выше, чем та, что необходима для переключения транзистора при минимальном коэффициенте усиления по току b_min, то есть

. (2.5.5)

Для транзисторов с b > b_min кратность отпирающих импульсов будет другой, а фактический коэффициент насыщения

. (2.5.6)

Поскольку разброс b может быть очень большим, то при К₁=2, а , К_ф=10. Если в режиме насыщения i_к = I_кн, то в переходном режиме I_к будет определяться уровнем тока базы:

. (2.5.7)

Подставив в (2.5.7) выражение (2.5.5)получим

. (2.5.8)

Выброс может на порядок превышать I_кн. Требуемое значение базового тока обеспечивается выбором напряжения U_ос базовой обмотки и резистором R₂

,

где и - напряжение и ток базы в режиме насыщения.

Для уменьшения пульсации выпрямленного напряжения на выходе преобразователя необходимо, чтобы фронты переменного прямоугольного напряжения имели минимальную длительность. Это достигается применением высокочастотных силовых транзисторов и шунтированием R₂ конденсатором С. С ≤ T/2R₂ = 1/2fR₂.

Таким образом, для успешной работы транзистор должен иметь

. (2.5.8)

Это приводит к излишне большой максимальной мощности транзистора P_кmax по сравнению с выходной мощностью.

Рис 2.5.6. Рис 2.5.7.

Меньшие амплитуды выбросов коллекторного тока получают в инверторе с дросселем в цепи эмиттеров силовых транзисторов (рис.2.5.6). При насыщении трансформатора, когда i_к1 начинает возрастать, i_L тоже возрастает. Увеличение i_L приводит к появлению ЭДС самоиндукции. U_б1 = U_ос + U_L для закрывающегося VT1 будет запирающим. Это ускорит процесс рассасывания неосновных носителей зарядов и запирание транзистора, одновременно ограничив i_к1.

Больший эффект дает схема с переключающим трансформатором (рис.2.5.7).

В этой схеме нет выбросов коллекторов токов i_к1, так как транзисторы запираются не по коллектору, а по базе. Сердечник трансформатора Т1 не насыщается (В < В_s). Сердечник менее мощного переключающего трансформатора Т2 насыщается. При этом U_R3 возрастает и уменьшается напряжение на обмотках Т2. Ток базы i_б1 насыщенного транзистора VТ1 уменьшается, а после рассасывания неосновных носителей он запирается. При этом dB₂/dt снижается, ЭДС в обмотках Т2 уменьшаются еще больше падая до нуля и VТ2 открывается. Так как выход транзистора из режима насыщения начинается с уменьшения i_б, то рассасывание заряда неосновных носителей в базе открытого транзистора не приводит к выбросу i_к частота переключения определяется параметрами переключающего трансформатора Т_с:

f ≈ U₂₁/4W₂₁ B_s2S₂.

Недостаток этой схемы - наличие двух трансформаторов.

Рис. 2.5.8.

Однако роль переключающего трансформатора может выполнить насыщающийся дроссель. Он включается в базовые цепи. Насыщение дросселя приводит к росту i_L, i_б уменьшается и насыщенный транзистор запирается.