ЗДРАВСТВУЙ, ТРАНЗИСТОР!

Прежде чем производить с транзистором опыты, нужно узнать его название, определить, какой из выводов‑проволочек относится к базе, какой – к эмиттеру, а какой – к коллектору, и, наконец, проверить исправность прибора.

Название транзистора написано на нем самом – иногда сбоку, а иногда на плоской «макушке». Там же указана дата изготовления (обозначение «XII 67», например, означает, что прибор сделан в декабре 1967 года), а также марка изготовителя.

В дальнейшем будет подробно рассказано о том, из каких элементов складывается название транзистора и что означают отдельные буквы и цифры в этом названии. А пока лишь отметим, что система названий транзисторов несколько раз менялась и что названия старых и новых приборов часто расшифровываются по‑разному. Однако при этом буквы всегда дают общую характеристику прибора, а цифры указывают его конкретный тип.

Так, например, буква «П» означает «плоскостной», а в новых названиях буквы «ГТ» означают «германиевый транзистор». В то же время транзисторы П4, П8, П13, П201 – это все совершенно разные приборы, с разными назначениями, параметрами, характеристиками, и именно в цифрах отражены все эти различия.

Итак, если вы хотите научиться по названиям различать транзисторы, то должны помнить, какая цифра к какому конкретному типу прибора относится. Задача эта не простая, она требует большого внимания и хорошей памяти. Однако решение задачи облегчается следующими тремя обстоятельствами.

Во‑первых, существуют своего рода семейства транзисторов со многими схожими чертами и близкими номерами. Так, например, транзисторы П8, П9, П10 и П11 (обратите внимание – цифры идут подряд) – это все приборы типа n‑р‑n , изготовленные по одной и той же технологии и различающиеся лишь некоторыми (правда, очень важными!) параметрами. Точно так же к одному семейству относятся р‑n‑р транзисторы П13, П14, ПГ5 и П16 (опять цифры подряд), хотя и они различаются по некоторым очень важным параметрам. Зато очень резко отличаются от этой группы – и по технологии и по такому важному параметру, как предельная частота усиления, – транзисторы другого семейства: П401, П402 и П403 (цифры подряд). Это высокочастотные транзисторы, и самый низкочастотный из них (П401) работает на частоте 60 Мгц. В то же время для самого высокочастотного транзистора предыдущей группы (П15) частотный предел – 2 Мгц.

Совсем другая отличительная черта у транзисторов семейства П201, П202 и П203 (цифры подряд). Это мощные транзисторы, с помощью которых можно усилить сигнал до 10 вт. А у всех семейств, о которых шла речь до этого, предельная выходная мощность –50–150 мвт, то есть в десятки раз меньше.

Второе обстоятельство, облегчающее запоминание конкретных типов транзисторов, связано с тем, что, начиная с некоторого времени, их группировали в сотни. Так, в первую сотню входят только сплавные р‑n‑р транзисторы малой мощности, работающие на сравнительно невысоких частотах (исключение составляют старые названия, например: П4 – очень мощный триод, ПЗ – мощный триод, П8 – П11 –триоды n‑р‑n ); во вторую сотню входят сравнительно мощные р‑n‑р ‑транзисторы, в четвертую – высокочастотные транзисторы, и т. д.

И, наконец, третье обстоятельство, помогающее ориентироваться в океане параметров и названий, – большое число справочников по транзисторам. Кроме того, данные наиболее распространенных приборов имеются в большинстве книг, где приводятся транзисторные схемы. Сведения о некоторых отечественных популярных транзисторах вы найдете и в этой книге на стр. 259–262.

Для опытов, которые мы сейчас проведем, так же как и для наших первых транзисторных схем (рис. 44), можно взять любой транзистор семейства П13–П16 (МП13–МП16), или, что почти то же самое, любой транзистор семейства П39–П42 (МП39–МП42). Определить выводы у этих транзисторов довольно просто. Все выводы расположены в один ряд, и средний из них (он, кстати, соединен с металлическим корпусом) – это база. А вот как находят другие выводы у П13– П16.

Совершенно ясно, что по одну сторону от базы (средний вывод) находится вывод коллектора, по другую – вывод эмиттера. Отличить их тоже несложно. Во‑первых, загнутый и прикрепленный к корпусу кусочек среднего вывода (вывода базы) направлен в сторону коллектора. Во‑вторых, сам вывод эмиттера расположен чуть ближе к выводу базы, чем вывод коллектора. У других транзисторов выводы расположены совсем по‑иному, и их можно определить по справочному рисунку на стр. 268–269.

Итак, мы определили выводы выбранного транзистора: средний вывод – это база, ближний к нему – эмиттер, дальний– коллектор. (Еще раз напоминаем: это справедливо лишь для нескольких транзисторов!) Теперь попробуем проверить исправность транзистора. Проще всего это сделать с помощью омметра: нужно измерить прямое и обратное сопротивление эмиттерного и коллекторного переходов. Прямое сопротивление R_пр каждого из этих переходов должно быть очень небольшим, обратное R_обр – очень большим (рис. 50).

Рис. 50. Сопротивление pn ‑перехода различно при разной полярности батареи, и это позволяет проверять исправность диодов и транзисторов с помощью омметра.

При измерении сопротивлений pn ‑перехода вам даже не нужно задумываться над тем, когда вы измеряете R_пр , а когда R_обр . Вы можете поступить так: подключите омметр к эмиттеру и базе, заметьте сопротивление, затем поменяйте местами концы омметра и еще раз заметьте сопротивление. В одном случае сопротивление должно быть большим, в другом – малым, потому что в одном случае внутренняя батарейка омметра подключена к базе «плюсом» (измеряется R_обр ), в другом – к базе «минусом» (измеряется R_пр ). И не стоит задумываться, в каком случае к базе подключен «минус» внутренней батарейки омметра, а в каком «плюс». Если при смене концов омметра вы обнаружите два разных, резко отличающихся сопротивления, то можете считать, что эмиттерный pn ‑переход исправен.

Точно так же, меняя концы омметра и замечая, как при этом меняется сопротивление, можно проверить исправность коллекторного pn ‑перехода. И так же, кстати, можно проверить исправность любого полупроводникового диода.

Если при проверке pn ‑перехода окажется, что в обоих направлениях он обладает очень большим сопротивлением, то можно предположить, что один из выводов просто отпаялся, «отгорел» от своей зоны. Если же окажется, что в обоих направлениях сопротивление pn ‑перехода очень мало, то вероятнее всего, что произошел пробой и обе зоны, образующие pn ‑переход, соединились накоротко.

При проверке транзистора легко допустить ошибку, перепутав вывод базы с каким‑нибудь другим выводом. В этом случае может оказаться, что вы измеряете сопротивление между эмиттером и коллектором, а это сопротивление у исправного транзистора всегда будет очень большим, как бы вы ни меняли местами выводы омметра.

Узнав тип транзистора, определив его выводы и убедившись в исправности прибора, можно приступить к опытам. Нужно сказать, что сами эти опыты могут быть использованы для проверки транзисторов. Точно так же и опыты с диодом можно использовать для его проверки. Проделайте с диодом любой из двух показанных на рис. 41 опытов, и если он удастся, значит, диод исправен.

Перед началом опытов с транзисторами полезно повторить первые два опыта с диодами. Только на этот раз в них будут участвовать не настоящие диоды, а pn ‑переходы транзисторов. Батарейка и громкоговоритель или батарейка и лампочка позволяют легко убедиться, что полупроводниковый триод действительно можно рассматривать как два полупроводниковых диода, имеющих одну общую зону – базу (рис. 51).

Рис. 51. Батарейка и лампочка карманного фонаря позволяют на опыте убедиться в том, что транзистор, по сути дела, представляет собой два полупроводниковых диода.

Цель следующего опыта – доказать, что транзистор усиливает.

Включим абонентский громкоговоритель в коллекторную цепь транзистора в качестве нагрузки и подадим на коллектор напряжение – 9 в. (рис. 52). Можно подвести к транзистору и меньшее коллекторное напряжение, например 4,5 в, но при этом эффект усиления будет заметен меньше.

Рис. 52. Простейшие опыты позволяют убедиться в том, что с помощью транзистора можно усиливать слабый сигнал.

Для опыта нужен еще один источник тока – элемент Б_э на 1,5 в, с помощью которого мы будем имитировать слабый усиливаемый сигнал. Если присоединить «минус» элемента Б_э к базе и периодически прикасаться выводом эмиттера к «плюсу» этого элемента (то есть непрерывно замыкать и размыкать цепь, как мы это делали в опытах с диодами), то в громкоговорителе будут слышны щелчки. Появятся они потому, что элемент Б_э будет периодически отпирать транзистор (впрыскивать заряды из эмиттера в базу) и в коллекторной цепи будут появляться импульсы коллекторного тока. Эти импульсы и заставят в итоге колебаться диффузор громкоговорителя.

Если вы хотите убедиться в том, что щелчки в громкоговорителе появляются именно из‑за отпирания транзистора, то попробуйте поменять полярность включения Б_э : «плюс» этого элемента соедините с базой, а «минус» – с эмиттером. При такой полярности элемент Б_э будет еще сильнее запирать транзистор: «плюс» на базе не только не притягивает дырки из эмиттера, но наоборот – отталкивает их. Поэтому при обратной полярности элемента Б_э импульсов коллекторного тока не будет и щелчков в громкоговорителе вы не услышите.

То, что при первоначальной полярности элемента Б_э (на базе – «минус») и при прерывистом замыкании входной цепи появились импульсы коллекторного тока, говорит о том, что этим коллекторным током действительно можно управлять из входной цепи транзистора. Но как доказать, что при таком управлении может наблюдаться эффект усиления, что импульсы тока в выходной цепи транзистора могут оказаться мощней, чем импульсы тока в его входной цепи?

Для этого достаточно сравнить громкость щелчков, которые возникают в нашей усилительной схеме, и громкость щелчков, которые появляются, если периодически подключать к громкоговорителю один только элемент Б_э . Действительно, если отключить громкоговоритель от транзистора и периодически прикасаться к его выводам одним только элементом Б_э , то щелчки тоже будут слышны. Но они окажутся значительно тише тех щелчков, которые возникали при включении громкоговорителя в коллекторную цепь усилительного каскада.

А вот еще один опыт, позволяющий убедиться в том, что транзистор усиливает. Включите в его коллекторную цепь лампочку на 3,5 в и подайте напряжение на коллектор, но уже не 9 в, а 4,5 в. Теперь так же, как и в предыдущем опыте, подключите ко входу транзистора, то есть между базой и эмиттером, источник отпирающего напряжения – элемент Б_э на 1,5 в. Вы увидите, что даже под действием этого небольшого напряжения ярко загорится лампочка на 3,5 в. Разумеется, лампочка горит за счет другого источника энергии, за счет коллекторной батареи Б_к , которая дает 4,5 в. Но управляет энергией коллекторной батареи слабенький элемент Б_э , который сам, конечно, не в состоянии зажечь лампочку Л₁ . В этом легко убедиться, подключив лампочку Л₁ непосредственно к элементу Б_э .

Следуя по пути, который был выбран нами при практическом знакомстве с полупроводниковыми диодами, сейчас следовало бы перейти от учебных опытов к практическим транзисторным схемам. Однако на этом участке пути, к сожалению, появляются серьезные препятствия. Мы пока еще слишком поверхностно знакомы с транзистором, слишком мало о нем знаем. Мы, по сути дела, знаем лишь одну транзисторную схему, которая в общем, упрощенном виде фигурирует на многих наших рисунках (рис. 36, 37, 40, 52 и др.). А эта схема далеко не исчерпывает всех возможностей включения транзистора. Более того, схема, с которой мы познакомились, применяется сравнительно редко, и она была выбрана для первого знакомства только потому, что позволяет легче всего пояснить принцип действия транзистора. На практике чаще всего применяется совсем иная схема, знакомство с которой у нас еще впереди.

И все же мы разберем несколько практических схем, не дожидаясь более детального знакомства с транзистором.

Начнем с уже имеющегося у нас детекторного приемника, включив в него вместо диода эмиттерный переход транзистора. Эмиттерный переход – это тот же полупроводниковый диод, и поэтому он прекрасно справится с детектированием сигнала. В этом легко убедиться, заменив в схеме рис. 43–1 диод Д₁ эмиттерным переходом любого транзистора. Коллектор при этом никуда не подключается, «висит в воздухе».

Однако мы заменили диод транзистором совсем не для того, чтобы доказать, что эмиттерный переход может быть детектором. Это было ясно и без экспериментальных доказательств. Мы включили вместо диода транзистор для того, чтобы хоть в какой‑то степени использовать его усилительные способности.

Давайте переведем головные телефоны в коллекторную цепь и подадим на коллектор питание от батареи Б_к (рис. 43–2 ).

рис. 43 –2

Низкочастотная составляющая продетектированного сигнала, проходя по входной цепи, будет, как и всякий входной сигнал, управлять коллекторным током, и в итоге в коллекторной цепи появится мощная копия входного низкочастотного сигнала. Во всяком случае, на нагрузке – головных телефонах– будет выделяться большая мощность, чем это было в детекторном приемнике с диодом (рис. 43–1 ).

Обратите внимание на две особенности схемы. Прежде всего на то, что в этой схеме нет смещения. Вы удивлены?

Напрасно. Здесь смещение не нужно, потому что не нужно избавляться от искажений. Более того, искажения в этой схеме совершенно необходимы: сущность детектирования в том и состоит, чтобы отсечь половину высокочастотного сигнала, создать в цепи пульсирующий ток.

Вторая особенность схемы сама бросается в глаза: рядом с контурными катушками появились еще какие‑то две катушки L₃ и L₄ . О них, пожалуй, придется сказать несколько подробнее. Катушки L₃ и L₄ – это так называемые катушки связи. Каждая из них (это хорошо видно на монтажной схеме) располагается рядом со своей контурной катушкой (L₁ или L₂ ) и отбирает от нее некоторую часть энергии. Эту энергию катушка связи передает в ту цепь, куда она включена; в нашей схеме – в цепь детектора.

Здесь может возникнуть законный вопрос: зачем нужен посредник – катушка связи? Ведь и раньше энергия, которая циркулировала в контуре, передавалась в цепь детектора. Ответ на этот вопрос мы, собственно говоря, уже дали, когда рассматривали так называемое автотрансформаторное включение детектора – подключение детектора к части колебательного контура (стр. 143).

Было отмечено, что, подключая детектор к части контура, мы и проигрываем, и выигрываем. Проигрываем потому, что снимаем с контура меньшую часть напряжения, чем снимали бы при подключении детектора ко всей контурной катушке, а не к части ее витков. Выигрываем потому, что уменьшаем потери, которые сам детектор создает в контуре, отбирая у него энергию. И, подбирая точку подключения к контуру, можно добиться так называемого оптимального согласования (ему будет посвящен целый раздел – см. стр. 220), когда выигрыш оказывается максимальным, даже с учетом проигрыша.

С той же целью – для получения наибольшего выигрыша, для подбора наивыгоднейшей, оптимальной связи – в схему вводится и катушка связи. Уменьшение числа витков этой катушки равносильно уменьшению числа витков, к которым подключается детектор при автотрансформаторной схеме. Но если, сделав отвод от катушки, вы раз и навсегда определили ту часть энергии, которая попадет в детектор из контура, то, применив дополнительную катушку связи, вы получаете возможность плавно подобрать связь, добиваясь наибольшего выигрыша. Для этого достаточно несколько переместить катушку связи относительно контурной катушки.

В приемнике, где детектором служит точечный диод, ослабление связи между детектором и контуром весьма желательно. В приемнике с транзисторным детектором такое ослабление просто необходимо, потому что входное сопротивление плоскостного транзистора очень мало и если подключить его прямо к контуру, то контур, по сути дела, исчезнет. Малое входное сопротивление транзистора, подключенное параллельно контуру, настолько сильно шунтирует его (Воспоминания № 8 и № 20), настолько ухудшает добротность этого контура, что резонансные явления в нем почти не ощущаются.

В заключение приводим самые главные данные – данные катушек L₃ и L₄ . Для магнитной антенны первая из них содержит 15 витков (длинноволновая катушка связи L₃ ), вторая – 8 витков (средневолновая катушка связи L₄ ). Катушки могут быть намотаны тем же проводом, что и контурные. Если во входном контуре используется катушка в броневом сердечнике, то катушку связи проще всего намотать на бумажном каркасе, надетом поверх этого сердечника. Если контурная катушка намотана на кольце, то на нем же следует намотать и катушку связи. Во всех случаях катушка связи может содержать в 10–20 раз меньше витков, чем соответствующая контурная катушка.

Вместо отдельной катушки связи можно сделать отвод от самой контурной катушки, примерно от одной десятой части ее витков (рис. 43–3 ).

рис. 43 –3

Такой отвод удобен лишь в магнитной антенне, так как отдельную секцию контурной катушки можно использовать для подгонки ее индуктивности. В большинстве промышленных и любительских приемников применяют отдельные катушки связи.

Схему рис. 43–2 , хотя в ней и используется транзистор, не стоит называть усилителем. Это триодный детектор, в котором усиление осуществляется «по совместительству».

А сейчас мы рассмотрим две практические схемы, где транзистор занят своим основным делом – усиливает слабый сигнал. Первая из этих схем – усилитель низкой частоты, вторая – усилитель высокой частоты.

Если понадобится быстро сделать простейшее переговорное устройство, то включите обычный абонентский громкоговоритель в гнезда «Звукосниматель» любого приемника. Громкоговоритель будет играть роль микрофона, а сам приемник достаточно громко воспроизведет все то, что вы будете перед этим микрофоном говорить.

Микрофон‑громкоговоритель можно отнести на 20–30 метров от самого приемника, если они соединены экранированным проводом, и на 5–7 метров, если для соединения используется обычный двухжильный провод. Это последнее ограничение связано с тем, что в открытый соединительный провод попадают сильные «наводки» от проводов сети. По мере удлинения провода они становятся все сильнее, все заметнее рядом со сравнительно слабым сигналом микрофона.

Микрофон‑громкоговоритель обязательно должен быть с трансформатором, потому что сам громкоговоритель, когда он работает микрофоном, даже при сравнительно громкой речи развивает напряжение 1–5 мв. А для того чтобы приемник развивал нормальную выходную мощность, проще говоря – чтобы он воспроизводил вашу речь достаточно громко, нужно подвести к гнездам «Звукосниматель» напряжение 100–200 мв. Почти до такого уровня напряжение повышает собственный трансформатор абонентского громкоговорителя. Когда сигнал идет в обратную сторону, не к громкоговорителю, а от него, трансформатор оказывается повышающим.

Если у вас нет под руками абонентского громкоговорителя с трансформатором, то вы можете использовать в качестве микрофона любой динамик, добавив к нему простенький усилитель на одном транзисторе (рис. 44–1 ). Правда, в данном случае основное достоинство усилителя не будет использовано.

рис. 44 –1

Дело в том, что к гнездам «Звукосниматель» (они соединены прямо со входом усилителя низкой частоты приемника) можно подвести сигнал очень малой мощности, и с этой точки зрения вполне можно было бы обойтись и без усилителя. Усилитель нужен нам лишь для того, чтобы повысить напряжение, которое дает громкоговоритель‑микрофон. А поскольку в известной нам схеме (рис. 37) эффект усиления получается за счет того, что напряжение на выходе усилителя больше, чем на входе, то именно поэтому однокаскадный транзисторный усилитель прекрасно заменяет повышающий трансформатор.

Конечно, заменять трансформатор усилителем, использовать только усиление по напряжению там, где можно было бы использовать усиление по мощности, – это непростительное расточительство. Но мы идем на него сознательно. Во‑первых, предлагаемая схема нам доступна (имеющихся у нас знаний пока недостаточно, чтобы строить другие, более сложные, совершенные и более полезные схемы). Во‑вторых, не исключено, что вам эта схема пригодится: иногда труднее бывает достать трансформатор, чем транзистор.

Вторая практическая схема – трехкаскадный усилитель высокой частоты (рис. 44–2 ).

рис. 44 –2

Как всегда, он включается между антенной и детектором и усиливает сигнал, поступающий на детектор. Усилитель повышает напряжение примерно в пятьсот– тысячу раз, а это позволяет принимать уже довольно большое число станций, которые без усилителя вообще не слышны. Сигналы некоторых станций усиливаются настолько, что их можно слушать уже не на головные телефоны, а на громкоговоритель. Например, на простейший громкоговорящий капсуль ДЭМ–4М. Главное достоинство усилителя в том, что для него пригодны транзисторы с самыми скверными параметрами. В частности, в этом усилителе работают триоды с таким низким коэффициентом усиления, что в других схемах они не дали бы приемлемых результатов. Другое достоинство усилителя в том, что он почти не требует налаживания.

Есть у этого усилителя и недостатки: он рассчитан только на один диапазон – на длинные волны. Хотя на схеме показан усилитель, включенный в двухдиапазонный детекторный приемник, однако надо прямо сказать, что на средних волнах такой усилитель работает плохо – слишком мало усиление. В дальнейшем, познакомившись с транзистором более подробно, мы построим более простой и в то же время более совершенный усилитель высокой частоты для двухдиапазонного приемника. А схема, о которой идет речь сейчас, останется в нашей памяти лишь «этапом большого пути».

В схеме рис. 44–2 –три усилительных каскада, и сигнал, как эстафета, передается с одного из них на другой. Первый каскад (транзистор Т₁ ) получает сигнал прямо из входного контура через катушку связи L₃ или L₄ . Этот сигнал подается, естественно, во входную цепь транзистора – одним концом катушка связи L₃ (L₄ ) подключается прямо к эмиттеру, а вторым концом соединяется с базой. Соединение с базой осуществляется не непосредственно, а через конденсатор С₃ . Емкость этого конденсатора весьма велика, и можно считать, что переменное напряжение высокой частоты замыкается прямо на «землю», куда подключена база транзистора.

Небольшой черный прямоугольник – это условное обозначение, показывающее соединение с металлическим шасси (панелью), на котором монтируется схема. Но там, где монтаж ведется на панели из изолятора, роль такого общего для всех цепей «металлического шасси» обычно играет медная шинка – сравнительно толстый медный провод, к которому удобно подпаивать много разных цепей. Такая медная шинка имеется и на всех монтажных панелях нашего приемника. С ней соединено и гнездо «Земля». Поэтому о проводнике, подключенном к общей медной шинке, говорят, что этот проводник заземлен.

Соединить нижний (по схеме) конец катушки связи прямо с базой нельзя – через катушку связи на эмиттер подается напряжение смещения. «Минус» батареи смещения Б _см соединен с «землей», куда подключены все базы, а «плюс» подается на эмиттер транзистора Т₁ через катушки связи и резистор R₁ . Конденсатор С₃ позволяет заземлить нижний конец катушки связи для переменного тока и одновременно оставить его незаземленным для постоянного тока. Такие приемы – раздельное подключение какой‑либо точки для переменного и постоянного тока – в электронной аппаратуре встречаются на каждом шагу. Более подробно мы познакомимся с ними немного позже (см. стр. 208).

Нагрузкой первого усилительного каскада служит высокочастотный трансформатор L₅L₆ . Его первичная обмотка включена в коллекторную цепь транзистора Т₁ , и через эту обмотку на коллектор подается «минус» с батареи Б_к . Вторичная обмотка вводит усиленное первым каскадом напряжение во входную цепь второго транзистора Т₂ . Так же, как и в первом каскаде, верхний (по схеме) конец катушки связи соединен непосредственно с эмиттером, а нижний конец – с базой (через конденсатор С₄ ). И так. же, как и в первом каскаде, через катушку связи подается на эмиттер «плюс» смещения. Мы привыкли к тому, что на базу подается «минус» смещения относительно эмиттера, но это то же самое, что подать на эмиттер «плюс» смещения относительно базы.

Третий усилительный каскад отличается от второго только тем, что нагрузкой в нем служит уже не трансформатор, а резистор R₄ , выходное напряжение с которого поступает прямо на детектор. Детектор собран по параллельной схеме, и его нагрузкой служит сам громкоговоритель или головные телефоны.

Во всех трех усилительных каскадах смещение подается одним и тем же способом, и нужное напряжение смещения устанавливается подбором резисторов R₁, R₂ или R₃ . Каждый из этих резисторов образует со своим эмиттерным рn ‑переходом делитель напряжения. Резисторы выбраны таким образом, чтобы погасить излишек напряжения батареи Б_см и оставить на эмиттерном переходе постоянное напряжение 0,2 в.

Напряжение на коллектор в первых двух транзисторах подается через катушку (L₅, L₇ ) с очень небольшим активным сопротивлением. На такой катушке постоянное напряжение практически не теряется, и поэтому к коллекторам транзисторов Т₁ и Т₂ подводится полное напряжение батареи Б_к . Это, кстати, одна из причин, позволивших удовлетвориться очень небольшим напряжением батареи Б_к .

В приемнике по схеме рис. 44–2 используются те же основные детали – входной контур, переключатели диапазонов, конденсатор настройки, – что и в детекторных приемниках. Да и сам монтаж может вестись на той же фанерной панели. Единственное изменение, которое следует произвести, – это уменьшение числа витков катушки связи в три – пять раз. Так, например, катушка L₃ может содержать 3–4 витка, катушка L₄ – 2–3 витка.

Высокочастотные трансформаторы L₅L₆ и L₇L₈ выполнены на ферритовых кольцах К7х4х2 2000 НМ (магнитная проницаемость феррита – 2000; применение колец из феррита с меньшей проницаемостью снижает усиление). Данные катушек L₅ –120 витков, L₆ – 90 витков, L₇ и L₈ – по 10 витков каждая. Для намотки может быть использован провод ПЭЛШО 0,15.

Рассматривая схемы наших первых транзисторных усилителей, можно найти в них много неясного. Для чего, например, включать в качестве коллекторной нагрузки понижающий трансформатор (число витков L₅ и L₇ меньше, чем число витков L₆ и L₈ ) и снижать таким образом выходное напряжение каскада? Почему бы не собрать усилитель низкой частоты по той же схеме, по которой собран наш усилитель высокой частоты, и обеспечить таким образом нормальную работу громкоговорителя? Почему бы не упростить схему высокочастотного усилителя, применив вместо трансформаторов резисторы? Почему этот усилитель плохо работает на средних волнах?

Подобных вопросов можно придумать немало. Но пока трудно дать ответы на них. И трудность эта прежде всего связана вот с чем: мы с вами еще плохо знаем язык, на котором можно было бы говорить о транзисторных схемах. Преодолеть эту трудность можно только одним способом: нужно более внимательно, более подробно познакомиться с транзисторами.

Глава III