Нерегулярности в трактах СВЧ.

 

1. В волноводных линиях передачи.

1. Стыки линии передачи.

 

Для волноводов соотношение: =

2. Волноводные диафрагмы – тонкие металлические перегородки, частично перекрывающие поперечное сечение волновода.

Варианты:

1) индуктивная

 

BL – нормированная индуктивность (индуктивная проводимость).

BL = -( )ctg2( )

Поперечные токи на широких стенках частично замыкаются через пластины, соединяющие эти стенки, в магнитном поле токов запасается магнитная энергия, что эквивалентно включению в линию передачи индуктивности.

2) емкостная

 

Bc = ln(cosec( )) ,

где cosec = 1/sin .

При установке диафрагмы уменьшается зазор между широкими стенками волновода, что приводит к концентрации электрического поля, т.е. образуется запас электрической энергии. Такая диафрагма сильно снижает электропрочность волновода.

3) резонансная

При определенном выборе размеров a¢ и b¢ диафрагма не оказывает влияния на распространение волны Н10. Частоту f0 определяют из условия равенства волновых сопротивлений линии передачи и отверстия диафрагмы. Это условие записывается в виде:

=

Данному условию отвечает множество размеров диафрагм, но у них будет различная добротность:

qвн. =

3. Штыри.

1) индуктивный

Устанавливается вдоль силовых линий электрического поля. XВ учитывает конечную толщину стержня.

2) емкостной

 

 

Емкость штыря связана с концентрацией электрического поля, а индуктивность обусловлена прохождением токов. При длине штыря lв/4, проводимость последовательного контура стремится к бесконечности и волновод закорачивается. Если L < lв/4 , то преобладает емкостная проводимость; если L > lв/4 , то – индуктивная. Емкостные штыри в основном применяются в качестве регулируемых реактивных элементов, вводимых в волновод с помощью резьбовых соединений на широких стенках. Они заметно снижают электропрочность волноводов. Поэтому в мощных трактах не применяются.

2. В полосковых линиях передачи.

В полосковых линиях передачи различают элементы с распределенными и с сосредоточенными параметрами. Элементы с сосредоточенными параметрами имеют размеры существенно больше длины волны(<<lв/10; <<lв/16). Элементы с распределенными параметрами выполняются как нерегулярности полосковой линии передачи.

1. Последовательная индуктивность.

Выполняется в виде отрезка полосковой линии с высоким волновым сопротивлением и длиной <lв/8.

Z0
l

 

Z1 = 80¸100 Ом

L =

Недостатки: большие габариты и трудность перестройки.

2. Параллельная индуктивность.

 

L < lв/8

короткозамкнутый шлейф

 

разомкнутый шлейф

 

Такие конструкции индуктивности могут обеспечить величину несколько пГн; при необходимости выполнения индуктивности большей величины используют одновитковые или спиральные индуктивности.

3. Последовательная емкость.

Простейший её вариант выпорлняется в виде зазора микрополосковой линии.

 

= ln(ctg w×Z0×c)

гребенчатая структура

с = 10¸20 пФ

Если емкость должна быть >20 пФ, используется трехслойная структура.

 

1 и 3 – обкладки конденсатора

2 – слой диэлектрика

 

С = 8,855×10-3 e

4. Параллельная емкость.

Выполняется в виде участка линии передачи с низким волновым сопротивлением.

 

Z1 = 20¸30 Ом l < lв/8

 

C =

5. Резисторы.

 

R = r ,

где r - поверхностное сопротивление.

Материал – тантал, хром, нихром.

 








Дата добавления: 2016-01-20; просмотров: 1369;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.012 сек.