Полевые транзисторы. В полевых транзисторах используют эффект воздействия поперечного электрического поля на проводимость канала

В полевых транзисторах используют эффект воздействия поперечного электрического поля на проводимость канала, по которому движутся носители электрического заряда.

«+» - большое входное сопротивление;

- устойчивость к проникающим излучениям;

- малое влияние температуры.

2 типа:

- с затвором p – n перехода;

- с изолированным затвором.

Схема с затвором p – n перехода

И – исток;

С – сток;

1 – объединенный слой;

2 – канал высокой проводимости.

От приложенного напряжения создается ток I_C через сопротивление R_н, обеспечивается движением основных носителей заряда.

Пластины n типа образуют затвор.

При увеличении U_вх ширина объединенного слоя увеличивается, а ширина канала проводимости уменьшается.

Т.о. изменяя напряжение U_вх меняем I_C и U_вых.

ТИРИСТОРЫ

Тиристор от транзистора отличается наличием третьего перехода p – n.

Соединение греческого слова «тира» - дверь и английского слова «резистор» - сопротивление.

«+» способность переходить из одного непроводящего состояния в проводящее под действием относительно слабого входного сигнала, высокий к.п.д. и малые габариты.

Два устойчивых состояния:

1. В закрытом состоянии сопротивление тиристора составляет 10 Мом при напряжении до 1 кВ.

2. В открытом сопротивление незначительно.

Тиристор с двумя выводами называют динистором.

Тиристор, снабженный третьим выводом называется тринистором.

Управляющий электрод позволяет с помощью небольшого сигнала (импульса напряжения) привести тиристор из закрытого положения в открытое при неизменном напряжении на основных электродах. Обратный переход невозможен.

Структура тиристора содержит четыре (p – n— p – n) или пять (p – n— p – n— p) слоев.

,

I₀ – обратный ток через переход П₂ (n— p);

I_К1 – коллекторный ток через транзистор p – n— p;

I_К2 – коллекторный ток через транзистор n— p – n.

.