Вторинна електронна-іонна емісія
Вторинна емісія може відбуватися не тільки під дією електронного бомбардування кристала а і при бомбардуванні його позитивними іонами. Така емісія називається вторинною іонно-електронною.
Коефіцієнт іонно-електронної емісії g представляє відношення вторинного електронного струму Ie2 до іонного струму (Ii), залежить від матеріалу кристала, роду бомбардуючих іонів і їх кінетичної енергії. При енергіях порядку десятків і сотень електрон-вольт значення g лежать в межах 10–3¸10–1. Із збільшенням енергії іонів цей коефіцієнт зростає і при енергіях в декілька тисяч електрон-вольт може становити більше одиниці.
Експерименти показують, що існують два різні процеси вибивання вторинних електронів іонами. Вибивання електронів іонами за рахунок кінетичної енергії останніх називається кінетичним вириванням. Виривання електронів іонами за рахунок енергії, що вивільняється при рекомбінації на поверхні кристала або поблизу неї, називають потенційним вириванням.
Кінетичне виривання. При зіткненні іона з атомом кристала відбувається «струс» їх електронних оболонок, в результаті якого може звільнитися електрон з достатньою для подолання потенційного бар'єру енергією, або це є результатом іонізації поверхневого шару атомів кристала під ударами іонів.
При потенційному вириванні позитивний іон наближається до поверхні кристала, при цьому потенційний бар'єр між ними зменшується та звужується, що робить можливим перехід одного з найбільш швидких валентних електронів кристала до іона.
Вторинна іонно-електронна емісія спостерігається в умовах електричного розряду в газах.
Дата добавления: 2015-10-21; просмотров: 755;