Выводы по лекции. Таким образом, электронно-дырочный переход инерционен по отношению к достаточно быстрым изменениям тока или напряжения

Таким образом, электронно-дырочный переход инерционен по отношению к достаточно быстрым изменениям тока или напряжения, поскольку новое распределение носителей устанавливается не сразу. Как известно, внешнее напряжение меняет ширину перехода, а значит, и величину объемных зарядов в переходе. Кроме того, при инжекции или экстракции меняются заряды в области базы. Следовательно, диод обладает емкостью, которую можно считать подключенной параллельно p-n-переходу.

Эту емкость принято разделять на две составляющие: барьерную емкость, отражающую перераспределение зарядов в переходе, и диффузионную емкость, отражающую перераспределение в областях полупроводника. Такое разделение в общем условное, но оно удобно на практике, поскольку соотношение обеих емкостей различно при разных полярностях приложенного напряжения. При прямом напряжении главную роль играют избыточные заряды в областях полупроводника и соответственно — диффузионная емкость. При обратном напряжении избыточные заряды в областях полупроводника малы и главную роль играет барьерная емкость.

Обе емкости нелинейны: диффузионная емкость зависит от прямого тока, а барьерная — от обратного напряжения.

Лекция № 10: Пробой p-n-перехода