Примесная проводимость полупроводников

Обусловлена наличием в полупроводнике малого количества примесей.

ПОЛУПРОВОДНИК n-ТИПА	ПОЛУПРОВОДНИК р-ТИПА
Если валентность примесных атомов, замещающих основные атомы, больше, чем у основных, появляются свободные электроны. Пример: 5-валентные атомы Аs в кристалле Si.	Если валентность примесных атомов меньше, чем у основных, появляются "дырки", которые движутся под действием электрического поля как положительно заряженные частицы. Пример: 3-валентные атомы In в кристалле Si.

Примесная проводимость, как правило, намного превышает собственную. Поэтому электрические свойства полупроводников определяются характером и количеством примесей.

Электронно-дырочный переход (р-п переход)

Представляет собой контакт между полупроводниками "р" и "n"-типа.

В результате встречной диффузии электронов и дырок у р-п перехода образуется запирающий электрический слой, поле которого препятствует дальнейшему переходу электронов и дырок через границу. Запирающий слой обеднен свободными носителями заряда и поэтому имеет повышенное сопротивление. Если внешнее электрическое поле направлено от полупроводника р-типа к полупроводнику n-типа (ток идет в прямом направлении), сопротивление запирающего слоя резко уменьшается; при противоположном направлении тока сопротивление резко возрастает. Поэтому полупроводниковый диод,содержащий один р-п переход, практически представляет собой элемент с односторонней проводимостью.Полупроводниковый прибор, содержащий два р-п перхода, называют транзистором.Этот прибор, позволяющий усиливать слабые электрические сигналы, является основным элементом электронных схем.