Импульсные диоды

 

Предназначены для работы в ключевых схемах. Помимо основных параметров для диодов этого типа указываются специальные параметры.

I

Iпр.уст

t

t

Uпр Iпр τвос Iобр

Uпр уст t

τуст

t

tуст характеризует время установления прямого напряжения на диоде (уменьшение пика напряжения до величины 1,2 Uпр установившегося).

Величина tуст характеризуется временем рассасывания неосновных инжектировавших в базу носителей и уменьшением сопротивления базы.

tвос- при переключении Uвх с прямого на обратное инжекция дырок в базу прекращается (в случае, если п/п p-типа является эмиттером).

В базе у запирающего слоя концентрация дырок уменьшается до равновесной, но инжектировавшие ранее дырки не прошли всю базу и в толще базы концентрация дырок выше, чем у ЗС. Часть дырок продолжает диффузионное движение к выводу базы, но большая их часть будет осуществлять движение обратно к эмиттеру, вызывая увеличение обратного тока. Равновесное значение концентрации дырок по всей базе наблюдается через время tвос, когда все вышеперечисленные процессы завершатся.

tвос желательно уменьшать, что достигается следующими способами:

- Легированием базы примесями, которые способствуют рекомбинации неосновных носителей.

- Использованием базы с неоднородной концентрацией примесей. В таких диодах концентрация примесей монотонно увеличивается по мере удаления от ЗС к выводу. В связи с этим неравномерной оказывается и концентрация неосновных подвижных носителей. Следовательно, возникает диффузионный ток (из-за градиента концентрации электронов). Электроны из базы диффундируют к ЗС и обнажают вдали от него неподвижные ионы доноров. Возникает э.п., направленное к ЗС. Под воздействием этого поля инжектирующие в базу дырки прижимаются к границе ЗС и образуют там объёмный заряд дырок с повышенной плотностью. При переключении напряжения с прямого на обратное эти дырки втягиваются полем p-n-перехода за очень малое время.

Помимо этих параметров для ИД указываются Uпр.имп.max, Iпр.имп.max и их соотношение – импульсное сопротивление.

Ёмкость перехода должна быть маленькой (от 0,1 до 1 пФ).

По времени tвос диоды бывают:

§ Миллисекундные (tвос >0,1 мс)

§ Микросекундные (tвос >0,1 мкс)

§ Наносекундные (tвос <0,1 мкс)


СВЧ – диоды

Используются для детектирования, умножения, преобразования частот СВЧ – колебаний, а также для управления мощностью СВЧ – сигналов.

Конструкция диодов такова, что они могут включаться в коаксиальный и волноводный тракт.

Обычно диоды точечные, с малой междуэлектродной ёмкостью.

Работают на частотах до 10ГГц.

Виды:

§ Смесительные

§ Детекторные

§ Переключающие

Смесительные диоды используются для преобразования сигналов СВЧ диапазона в сигнал промежуточной частоты. На диод, помещённый в отрезок волновода, подаётся сигнал от антенны и гетеродина (маломощный, широкодиапазонный, высокостабильный генератор).

Потери преобразования:

PСВЧ – мощность сигнала на входе

Pпреобр – мощность сигнала на промежуточной частоте

L = 6,5 ..8,5 дБ, т.к. зависит от величины тока через диод.








Дата добавления: 2015-09-18; просмотров: 729;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.007 сек.