Импульсные диоды
Предназначены для работы в ключевых схемах. Помимо основных параметров для диодов этого типа указываются специальные параметры.
I
Iпр.уст
t
t
Uпр Iпр τвос Iобр
Uпр уст t
τуст
t
tуст характеризует время установления прямого напряжения на диоде (уменьшение пика напряжения до величины 1,2 Uпр установившегося).
Величина tуст характеризуется временем рассасывания неосновных инжектировавших в базу носителей и уменьшением сопротивления базы.
tвос- при переключении Uвх с прямого на обратное инжекция дырок в базу прекращается (в случае, если п/п p-типа является эмиттером).
В базе у запирающего слоя концентрация дырок уменьшается до равновесной, но инжектировавшие ранее дырки не прошли всю базу и в толще базы концентрация дырок выше, чем у ЗС. Часть дырок продолжает диффузионное движение к выводу базы, но большая их часть будет осуществлять движение обратно к эмиттеру, вызывая увеличение обратного тока. Равновесное значение концентрации дырок по всей базе наблюдается через время tвос, когда все вышеперечисленные процессы завершатся.
tвос желательно уменьшать, что достигается следующими способами:
- Легированием базы примесями, которые способствуют рекомбинации неосновных носителей.
- Использованием базы с неоднородной концентрацией примесей. В таких диодах концентрация примесей монотонно увеличивается по мере удаления от ЗС к выводу. В связи с этим неравномерной оказывается и концентрация неосновных подвижных носителей. Следовательно, возникает диффузионный ток (из-за градиента концентрации электронов). Электроны из базы диффундируют к ЗС и обнажают вдали от него неподвижные ионы доноров. Возникает э.п., направленное к ЗС. Под воздействием этого поля инжектирующие в базу дырки прижимаются к границе ЗС и образуют там объёмный заряд дырок с повышенной плотностью. При переключении напряжения с прямого на обратное эти дырки втягиваются полем p-n-перехода за очень малое время.
Помимо этих параметров для ИД указываются Uпр.имп.max, Iпр.имп.max и их соотношение – импульсное сопротивление.
Ёмкость перехода должна быть маленькой (от 0,1 до 1 пФ).
По времени tвос диоды бывают:
§ Миллисекундные (tвос >0,1 мс)
§ Микросекундные (tвос >0,1 мкс)
§ Наносекундные (tвос <0,1 мкс)
СВЧ – диоды
Используются для детектирования, умножения, преобразования частот СВЧ – колебаний, а также для управления мощностью СВЧ – сигналов.
Конструкция диодов такова, что они могут включаться в коаксиальный и волноводный тракт.
Обычно диоды точечные, с малой междуэлектродной ёмкостью.
Работают на частотах до 10ГГц.
Виды:
§ Смесительные
§ Детекторные
§ Переключающие
Смесительные диоды используются для преобразования сигналов СВЧ диапазона в сигнал промежуточной частоты. На диод, помещённый в отрезок волновода, подаётся сигнал от антенны и гетеродина (маломощный, широкодиапазонный, высокостабильный генератор).
Потери преобразования:
PСВЧ – мощность сигнала на входе
Pпреобр – мощность сигнала на промежуточной частоте
L = 6,5 ..8,5 дБ, т.к. зависит от величины тока через диод.
Дата добавления: 2015-09-18; просмотров: 734;