P-n-переход и его свойства
Действие полупроводниковых приборов основано на использовании свойств полупроводников. Полупроводники занимают промежуточное положение между проводниками и диэлектриками. К полупроводникам относятся элементы IV группы периодической системы элементов Д.И. Менделеева, которые на внешней оболочке имеют четыре валентных электрона. Типичные полупроводники - Ge (германий) и Si (кремний).
Чистые полупроводники кристаллизуются в виде решетки (рис. 79 а). Каждая валентная связь содержит два электрона, оболочка атома имеет восемь электронов, и атом находится в состоянии равновесия. Чтобы «вырвать» электрон в зону проводимости, необходимо затратить большую энергию.
Чистые полупроводники обладают высоким удельным сопротивлением (от 0,65 Ом-м до 108 Ом-м). Для снижения высокого удельного сопротивления чистых полупроводников в них вводят примеси, такой процесс называется легированием, а соответствующие полупроводниковые материалы - легированными. В качестве легирующих примесей применяют элементы III и V групп периодической системы элементов Д.И. Менделеева.
Элементы III группы имеют три валентных электрона, поэтому при образовании валентных связей одна связь оказывается только с одним электроном (рис. 79 б). Такие полупроводники обладают дырочной электропроводностью, так как в них основными носителями заряда являются дырки. Под дыркой понимается место, не занятое электроном, которому присваивается положительный заряд. Такие полупроводники также называются полупроводниками р-типа, а примесь, благодаря которой в полупроводнике оказался недостаток электронов, называется акцепторной.
Элементы V группы имеют пять валентных электронов, поэтому при образовании валентных связей один электрон оказывается лишним (рис. 79 в). Такие полупроводники обладают электронной электропроводностью, так как в них основными носителями заряда являются электроны. Они называются полупроводниками п-типа, а примесь, благодаря которой в полупроводнике оказался избыток электронов, называется донорной.
Рис. 79. Фрагмент решетки: а) чистого полупроводника;
Дата добавления: 2015-09-11; просмотров: 2439;