Эквивалентные схемы полупроводниковых диодов

Полная эквивалентная схема полупро- а) R₀R

пр

водникового диода показана на рисунке 6,

L

а. Сопротивление R₀представляет собой

суммарное, сравнительно небольшое со-

противление n- и p-областей и контактов

этих областей с выводами. Нелинейное

сопротивление Rнл при прямом напряже-

C

диф

C

в

C

б

нии сравнительно невелико и равно Rпр^,а б)

при обратном напряжении имеет доста-

точно большое значение и Rнл ⁼Rобр^.в)

Диффузионная емкость Cдиф характеризу-

R

R

обр

Rпр

ет накопление подвижных носителей за-

ряда в n- и p- областях при прямом на-

пряжении на переходе. При обратном

напряжении p-n-переход обладает барьер-

г)

R

C

диф

R

пр

ной емкостью Cб, появление которой обу- д)

словлено наличием по обе стороны запи-

рающего слоя разноименных объемных

зарядов. На высоких частотах существует

емкость Cв между выводами диода, кото-

рая заметно шунтирует диод. Кроме того,

на СВЧ может также проявляться индук-

R

обр

Cб

Рисунок 6 – Эквивалентные схемы

полупроводникового диода

тивность выводов L. На рисунке 6, г, д представлены упрощенные эквивалентные

схемы на высоких частотах при прямом и обратном напряжении соответственно. На

низких частотах значения емкостей можно не учитывать (рисунок 6, б, в).