Аналог Tri-Gate от AMD

В 2003 г. на проходящей в Токио конференции по твердотельным устройствам и материалам (SDDM 2003) компания AMD продемонстрировала новую 45-нм КМОП–технологию с 20-нм затворными приборами
(рис. 2.1.32).

В разработке AMD также используется технология «обедненный кремний-на-изоляторе» (FDSOI). Канал транзистора с трех сторон окружен затвором, выполненным из силицида никеля (NiSi). Этот металлосодержащий материал обеспечивает лучшие характеристики по сравнению с традиционным кремнием.

Рис. 2.1.32. Аналог Tri-Gate от AMD

Использование силицида никеля для создания затворов приводит к возникновению дефектов в кристаллической решетке кремния в токопроводящем канале. Наличие таких дефектов повышает подвижность электронов и соответственно быстродействие транзистора.