Основные параметры некоторых технологических установок на основе твердотельных лазеров.

тип	кВ	мкф	мкс	Гц	Дж	Вт	кВт	мм	мм
Квант11	1,0				0,2	-	-	0,7÷5	-
Квант9	1,7				8,0	-	-	0,7÷5	-
Квант10	2,2					-	-	0,7÷5	-
Квант16	-	-	-	0,1		-		0,7÷5	-
LAP20	-	-	250÷2000	1-20			-	-	-
LAP100	-	-	250÷2000	1÷300			-	-	-
LAP200	-	-	250÷2000	1÷300			-	-	-
LAP300	-	-	250÷2000	1÷300			-	-	-
LAP400	-	-	250÷2000	1÷300			-	-	-
ЛТН101	-	-	-	-	-		-	-
ЛТН102А	-	-	-	-	-		-	-
ЛТН103	-	-	-	-	-		-	-
ЛТИ501	-	-	-	5-50	-		-	-	1,5
ЛТИ502	-	-	-	8-50	-		-	-
ЛТИ504	-	-	-	5-25	-		-	-

Существуют также промышленные ЛТУ на основе рубиновых лазеров.

Напр: УИГ-1м (до 10 Дж)

ГОР-100м (до 100 Дж)

ГОР-1000м (до 1000 Дж)

Однако в промышленности они почти не применяются из-за низкой производительности

≤0.1Гц и меньшего КПД 1-1.5% и используется в научных исследованиях. Например, для разработки лазерной технологии с применением промышленных ЛТУ.

Оптические системы ЛТУ – выполняется таким образом, чтобы можно было вести непрерывное наблюдение за технологическим процессом обработки с помощью микроскопа, снабженного светофильтрами, обеспечивается защита объектива от паров, капель, плазмы обрабатываемого материала, кроме того имеется возможность применения диафрагм для проекционных методов обработки.

Система охлаждения – представляет собой замкнутую систему циркуляции охлаждающей дистиллированной воды, омывающей излучатель. Эта система содержит насос, бак, теплообменник, реле расхода, пульт управления.

Технологический пост представляет собой координатный стол с микрометрическими винтами для контроля перемещения в двух направлениях. Координатный стол снабжен зажимами для крепления объекта обработки.

Источники питания выполнены на основе накопителей энергии. В случае лазеров с импульсной накачкой или в виде источников высокого постоянного напряжения в случае лазеров с непрерывной накачкой. Их конструкция и принцип действия подробно рассмотрены ниже.