Точечные дефекты кристаллической решетки
Одним из самых распространенных нульмерных, т.е. точечных, дефектов, наблюдаемых в кристаллах, являются пары "вакансия + междоузельный атом". Вакансии, т. е. незанятые по каким-то причинам узлы кристаллической решетки, и междоузельные атомы, т. е. атомы, находящиеся в междоузлиях, являются дефектами-антиподами.
При любой температуре кристалла имеется некоторая вероятность того, что ион, находящийся в узле решетки, в результате тепловых колебаний и воздействия случайных факторов может выйти из узла и оказаться внутри ячейки, или, как говорят, в междоузлии. При этом образуется одновременно два дефекта – вакансия в узле, из которого ушел ион, и ион в междоузлии.
Такая пара точечных дефектов называется дефектом по Френкелю или френкелевской парой. Как вакансии, так и междоузельные атомы перемещаются (диффундируют) вследствие теплового движения по кристаллу, а при приложении электрического поля движутся направленно (дрейфуют) в соответствие со знаком своего электрического заряда. В узлах любой кристаллической решетки (кроме молекулярных кристаллов) находятся ионизированные атомы, поэтому вакансия, которая образовалась вследствие ухода иона в междоузлие, обладает электрическим зарядом, равным по величине и противоположным по знаку заряду иона, вышедшего в междоузлие.
При данной температуре в кристалле всегда существует равновесная концентрация дефектов по Френкелю. Это равновесие является динамическим – френкелевские пары непрерывно образуются в результате тепловых колебаний решетки и непрерывно исчезают в результате того, что междоузельные атомы, опять же в результате тепловых колебаний решетки, занимают вакансии в узловых положениях, не обязательно своих, из которых они ушли. Этот последний процесс называется аннигиляцией точечных дефектов. Аннигиляция вакансии и междоузельного атома восстанавливает правильность кристаллической решетки.
Другим типом точечных дефектов являются вакансии, которые образуются вследствие нестехиометричности кристаллического состава, или, другими словами, в силу нехватки тех или иных атомов в решетке, образовавшейся при выращивании кристалла. Или, наоборот, наличие "лишних" атомов в междоузлиях, концентрация которых не соответствует концентрации вакансий. Такие точечные дефекты называются "дефектами по Шоттки".
Поскольку энергия междоузельного иона намного превышает энергию вакансии, концентрация равновесных точечных дефектов в ионных кристаллах обычно определяется концентрацией именно дефектов Шоттки.
При образовании точечных дефектов происходят заметные перемещения атомов, окружающих дефект. Атомы вокруг вакансии сдвигаются в основном по направлению в вакантному узлу. Междоузельный атом, наоборот, расталкивает окружающие атомы. В результате перенос атома на поверхность кристалла с образованием вакансии увеличивает объем кристалла менее чем на один атомный объем, а перенос атома с поверхности внутрь кристалла с образованием междоузельного атома обычно даже не уменьшает, а увеличивает объем кристалла.
Экспериментально разность числа междоузельных атомов и числа вакансий определяется путем сравнения дилатометрической плотности кристалла, определяемой путем измерении его макроскопических размеров, с рентгеновской плотностью, соответствующей среднему межатомному расстоянию (рентгенографической постоянной решетки).
Взаимодействие точечных дефектов между собой приводит к возникновению различного рода комплексов. При взаимодействии вакансий образуются двойные вакансии (бивакансии), тройные вакансии (тривакансии), и более крупные ассоциаты. При дальнейшем взаимодействии (слиянии, или объединении, вакансий, образуется трехмерный дефект решетки – макроскопическая пора.
При невысоких температурах концентрация бивакансий обычно не превышает концентрацию одиночных вакансий.
Переходя к междоузельным атомам, следует отметить, что это название само по себе не очень удачно. Междоузельные атомы далеко не всегда располагаются в характерных для решетки данного кристалла междоузлиях. В гранецентрированных кубических металлах, например, лишние атомы не внедряются в междоузлия, а вытесняют из узла какой-либо атом (рис. 14.1,а) и образуют с ним пару (гантель), ориентированную вдоль одного из направлений. В этих металлах междоузельный атом может образовывать также нарушение, называемое "краудион", т.е. "сгущение", в направлении <110> на длине в несколько межатомных расстояний располагается один лишний атом (рис. 14.1,б).
Рис. 14.1. Положения междоузельного атома в решетке
а) конфигурация типа "гантель",
б) краудионная конфигурация
Как правило, точечные дефекты могут занимать и элементной ячейке кристалла несколько равноценных позиций. При внешних воздействиях (тепловых, механических, электрических) дефекты постепенно переходят в положения, ставшие энергетически более выгодными (например, гантели междоузельных атомов поворачиваются вдоль оси растяжения). Возникает наведенная анизотропия, не исчезающая сразу же после прекращения внешнего воздействия. Кристалл как бы запоминает на некоторое время направление внешнего воздействия, реагируя на каждое воздействие соответствующим перераспределением точечных дефектов.
Этот эффект называется эффектом ориентационного или направленного упорядочения. Он проявляется в явлениях внутреннего трения (эффект Снука), упругого и магнитного последействия, стабилизации магнитных и сегнетоэлектрических доменов (ориентирующиеся дефекты помогают домену запомнить направление поляризации), резино-подобной упругости в некоторых твердых растворах и сплавах (при нагревании кристалл самопроизвольно восстанавливает форму, утраченную в результате предшествующего деформирования).
Внешние воздействия могут привести не только к перераспределению точечных дефектов, но и к рождению новых дефектов, в концентрациях, намного превышающих термодинамически равновесное значение. Например, неравновесная концентрация точечных дефектов может быть достигнута (заморожена) в процессе быстрого охлаждения (закалки) от высокой температуры. Кстати, при закалке из начальной температуры, при которой кристалл находится в другой кристаллической фазе, можно "заморозить" не только точечные дефекты, но и протяженные области высокотемпературной фазы кристалла. Напр., при закалке стали из начальной температуры выше +723 0С, где железо находится в состоянии γ-фазы ("аустенит", имеющий объемно-центрированную ячейку), при комнатной температуре в основной кристаллической системе железа (α-железо, гранецентрированный "перлит") содержатся островки остаточного аустенита, способствующие повышению твердости стали.
В процессе пластической деформации также рождаются избыточные вакансии и междоузельные атомы.
Высокая концентрация точечных дефектов различного типа может быть создана путем облучения кристалла быстрыми частицами, а также рентгеновскими и гамма-лучами. Коагулируя и оседая на дислокациях, радиационные точечные дефекты могут вызывать заметное объемное распухание кристаллов с образованием внутренних пор (иногда эти поры образуют правильные гранецентрированные или объемно-центрированные сверхрешетки) и самопроизвольную ориентированную деформацию кристаллов. Напр., гексагональные кристаллы под действием облучения быстрыми частицами удлиняются на сотни процентов.
Среди дефектов чисто радиационного происхождения следует отметить термический пик (область локального перегрева, в которой атомы в течение некоторого времени испытывают колебания большой амплитуды) и пик смещений (малая область с полностью разупорядоченной кристаллической решеткой). Эти пики могут служить источником дефектов Френкеля, краудионов, пор и более сложных дефектов – дислокаций.
Дата добавления: 2015-08-14; просмотров: 1889;