Варикапы. Варикапом называется полупроводниковый диод, у которого в качестве основного параметра используется барьерная ёмкость

Из графика следует, что зависимость С_бар = f(U_обр) наиболее ощутима до точки «А», дальше этой точки изменения С_бар незначительны. Если к диоду приложить обратное напряжение, то высота потенциального барьера возрастает на величину приложенного напряжения, возрастает и напряжённость поля в p-n-переходе. В результате происходит расширение области p-n-перехода и тем больше, чем выше напряжение U_обр. Таким образом, изменение U_обр, приложенногок p-n-переходу, приводит к изменению барьерной ёмкости между p- и n-областями.

Барьерная ёмкость такого прибора уменьшается с увеличением обратного напряжения. Величина барьерной ёмкости может быть определена из выражения, которое аналогично формуле плоского конденсатора (хотя между барьерной ёмкостью и плоским конденсатором имеется принципиальная разница)

,

где ξ ─ относительная диэлектрическая проницаемость полупроводника;