Фоторезитстор

Может содержать 2 (Эи К) или 3 вывода.

2 канала управления

или

Облучается база (с ОЭ):

I_к

Ф Ф₄

n + Ф₃

k Е_к Ф₂

p + -

- _ Ф₁

Б Ф=0

э I_кэ0 U_кэ

I_m=I_кэ0

Потенциальный барьер в эмитт. p-n переходе Þ увеличив. дифф. сост-я.

I_k=I_m+bФ, где b - коэф., связывающий ток с фотопотоком.

I_k увеличивается за счет двух составляющих:

В*Ф = I_ф = I_ф^б>>(b+1) + I_ф²

генерационная барьерная

составляющая составляющая – за счет снижения высоты

потенциального барьера
эмитт. перехода

Интегральная чувствительность:

Фотодиоды

Фототранзисторы

Фотодарлингсторы (сост. фототранзисторы)

- фототранзистор

- усилитель фототока

Остальные характеристики подобны характеристикам фоторезистора.

Полевой фототранзистор

Ф

u c I_c

n

р

з R₃ E₅

E_c I₃ U_зи

U_зо

Рассмотрим |U_зи|<|U_зо|

I_c>0; U_зи=Е_з-I_зR_з

I_з@0, U_зи»Е_з | Ф=0

­Ф®­I_з®­I_зR_з®¯U_зи­®¯е_р-n®­S_k®­I_c

Фототок модулирует I_c (прямо пропорционально)

I_c

E_з |U_зи|<|U_зотс|

Ф_вкл

|E_з|>|U_зо|

Ф

Ф_вкл U_си

Если |E_з|>|E_зотс|

­Ф®­I_з®­I_зR_з®¯U_зи

При некотором Ф_вкл |U_зи|=|U_зотс| Þ транзистор открывается

Фототеристор

В фототеристоре фототок используется для изменения значений коэффициентов a₁ и a₂.

I=(I_m+I_ф2+a₁*I_ф1+a₂I_ф3)/(1-(a₁+a₂))

Ф₃ > Ф₂ > Ф₁ > Ф­₀=0

Характеристика включения

Световоды

Показатель преломления n сердцевины > периферии.

1.

- скачок n (разрыв 1-го рода)

2.

Ý Графиентный световод (селфок)

Угол изгиба =< 90^°

Угол падения света Q: sin Q_гр=

Q<Q_гр

Световоды характеризуются:

- малым затуханием;

- малым искажением сигнала (l_рег » 30¸50 км);

- сверхвысокая пропускная способность (10¹²¸10¹⁵ бод);

- высокая эл/магн помехозащищенность;

- малые габариты и масса (тол. 0,2¸0,5 мм);

- высокая надежность и долговечность;

- эл. Развязка между входом и выходом;

- низкая стоимость.