При прямосмещении

Уровень Ферми

В итоге уровни богатые `е окажутся выше уровней, богатых `р. Поэтому `е-ны стремятся попасть на незаполненные уровни (богатые дырками) – результат: интенсивная рекомбинация Þизлучаются фотоны.

Достоинства:

- малые габариты (~1мкм);

- высокий КПД (~70%);

- малая мощность излучения (<=0,5Вт);

- высокая надежность (~10 000 часов);

- удобство управления, как следствие низких напряжений и токов.

Ga Al As материалы изготовления

In Ga As P

Фотоприемники

Преобразуют световые сигнал в электрические.

- внутренний фотоэффект (изменение электропроводности);

- фотоэффект в запирающем слое – возникновение ЭДС на границе 2-х материалов под действием света (солнечных батареи)

Фоторезистор

¯ ¯ ¯ ¯ Свет модулирует ток в цепи

I

Е

Основные характеристики:

-ВАХ

I Ф₂

Ф₁

I_ф

Ф=0

U

I=f(U)_ф=const

При отсутствии света получаем «теневой» ток

I | _ф=0 =I_m

I_ф=I-I_m

R_m=U/I_m – «теневое» сопротивление

- Энергетическая характеристика

I_ф, мА

Ф, Вт/см²

- интегральная чувствительность

S_ф=I_ф/Ф|_u=const=¶I_ф/¶Ф (в точке при опред. напр-ии)

- удельная чувствительность

S_фу=I_ф/(Ф*U)

- спектральная характеристика

S=f(l), где l - длина волны пад. света

S

l

- температурный коэф. фотопотока (ТКФ)

ТКФ=(¶I_ф/¶T) / I_ф |_Ф=const [1/град]

- обозначение