Динамика переключения ключей на биполярных транзисторах.

 

Качество транзисторного ключа определяется не только его свойствами в статических состояниях, но и скоростью переключателя, т.е. временами его перехода из одного состояния в другое, что определяется динамикой переходных процессов. При анализе переходных процессов в транзисторе, как правило, используется метод заряда базы, в основе которого лежит принцип ее электрической нейтральности.

Процесс переключения транзистора состоит из двух фаз:

Фаза открывания (включения) и фаза закрывания (выключения).

Фаза открывания включает 3-и стадии:

- задержка фронта (tзад);

- формирование фронта (tф+);

- накопление избыточного заряда в базе (tнак).

1. Задержка фронта – обусловлена перезарядом барьерных емкостей Сэ и Ск под действием входного сигнала.

2. Формирование фронта – возрастание тока Iк от 0,1 Iкmax до 0,9 Iкmax, связанное с экспоненциальным ростом числа неосновных носителей в области базы.

3. Накопление избыточного заряда в базе – начинается с момента перехода транзистора из активной области в режим насыщения, когда IБ>IБнас (при S>1) и заканчивается в момент достижения заданного коэффициента S насыщения.

Фаза закрывания включает также три стадии:

- рассасывание избыточного заряда в базе (tрасс);

- формирование отрицательного фронта (tф-);

- установление стационарного закрытого состояния (tуст).

1. Рассасывание избыточного заряда – уменьшение объемного заряда базы (неосновных носителей) до равновесного состояния; при этом Iк не изменяется.

2. Формирование отрицательного фронта – спад тока Iк от 0,9Iк до 0,1 Iк, экспоненциальное уменьшение заряда в базе от граничного значения до нуля.

3. Установление стационарного закрытого состояния – переход от пассивного запирания к глубокой отсечке (перезаряд Ск и Сэ).

Из анализа фаз переключения транзистора следует, что суммарные временные затраты составляют:

 

Очевидно, что для сокращения tвкл необходимо увеличивать IБвкл, но при этом транзистор попадает в область глубокого насыщения, что увеличивает время выключения (tвыкл).

Для сокращения времени выключения tвыкл необходимо увеличить ток выключения IБзап, т.к. это способствует сокращению tрасс. Однако, это приводит к увеличению глубины отсечки, что увеличивает время включения (tвкл).

Появившиеся противоречивые требования возможно удовлетворить несколькими путями (методами).

 








Дата добавления: 2015-08-04; просмотров: 783;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.003 сек.