ПЗУ, многократно программируемые с ультрафиолетовым (УФ) стиранием (репрограммируемые ПЗУ -- РПЗУ-УФ или EPROM - Erasable Programmed Read Only Memory).

Основная отличительная черта микросхем РПЗУ состоит в их способности к многоразовому (от 100 до 10 тыс.) перепрограммированию самым пользователем. Это свойство микросхем обеспечивает применения ЭП с свойствами «управляемых перемычек», функции которых выполняют транзисторы п-МОН с использованием механизма лавинной инжекции заряда (ЛИЗМОН) с двойным затвором.

Такой ЭП представляет собой n-МОН транзистор, у которого в однородном диэлектрике Si₂ под затвором сформирован изолированный ведущий участок из металла или поликристаллического кремния. Этот затвор получил название «плавучего» (ПЗ).

В режиме программирования на управляющий затвор, источник и сток подают импульс напряжения 21-25 В положительной полярности. В обратно смещенных р-п переходах возникает процесс лавинного размножения носителей заряда и инжекция части электронов в ПЗ. В результате накопления на ПЗ отрицательного заряда передаточная характеристика транзистора смещается в область высокого предельного напряжения (по правую сторону), что отвечает записи 0.

Для стирания информации перед новым циклом программирования следует вытеснить накопленный под затвором заряд. Стирают информацию облучением микросхемы ультрафиолетовым светом через специальное окно в верхней части корпуса. В результате усиления теплового движения за счет полученной энергии от источника УФ излучения электроны ЭП рассасываются с ПЗ в подложку.

В обозначении микросхем многократно программированных ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием используют буквы РФ, например, ВІС КР573РФ6 (8 Кх8). Кроме рассмотренных выше выводов, БИС ПЗУ содержит вывод ОЕ (Output Enable) - разрешение выхода и PR (Programming) -логический сигнал программирования. Сигнал ОЕ действует так же, как и сигнал CS .

Режимы работы микросхем РПЗУ-УФ: сохранения, считывания, запись (программирование) - обеспечиваются сигналами управления.

Недостатки микросхем РПЗУ-УФ: маленькое количество циклов перепрограммирования (от 10 до 100), что обусловлен быстрым старением диэлектрика под влиянием УФ излучения, потребность изъятия из аппаратуры для стирания информации, значительное время стирания, потребность в специальном оборудовании для стирания, высокая чувствительность к освещению и возможность случайного стирания информации. Вместе с тем у микросхем этой группы есть и важные преимущества: сравнительно высокое быстродействие, большое разнообразие вариантов выполнения относительно информационной емкости, невысокая стоимость и доступность. Эти свойства микросхем РПЗУ-УФ предопределяют их широкое применение в разработках.