Влияние температуры. С увеличение температуры p-n перехода происходит увеличение тока в транзисторе, т.к

С увеличение температуры p-n перехода происходит увеличение тока в транзисторе, т.к. с увеличением температуры электронам валентной зоны полупроводника сообщается дополнительная энергия и увеличивается количество электронов, которые переходят из валентной зоны в зону подвижности. Таким образом, в каждой области увеличивается количество носителей заряда, также увеличивается подвижность носителей заряда.

Влияние температуры на ВАХ в схеме с общим эмиттером (см.рис.59).

Рисунок 59 – Влияние температуры на ход входных характеристик

в схеме с ОЭ

Рост температуры приведет к увеличению основных носителей заряда, что вызовет понижение потенциального барьера и ветвь пройдет намного круче.