ПОЛУЧЕНИЕ ПП Р-ТИПА
Если в кристаллическую решетку кремния ввести атом трехвалентного бора В, то три электрона В образуют ковалентные связи с тремя из четырех соседних атомов кремния. Одна из ковалентных связей остается незаполненной (рис. 10).
Рисунок 10 – Введение акцепторной примеси
Свободная связь может быть легко занята электроном, перешедшим от атома основной решетки. На месте ушедшего электрона образуется «дырка», а атом бора превращается в отрицательный электрон (неподвижный). Примеси, которые при возбуждении способны захватить электрон из валентной зоны называются «акцепторными».
В кремнии с примесью бора локальный энергетический уровень WA располагается в 33 вблизи «потолка» ВЗ и называется акцепторным.
Акцепторный уровень в невозбужденном состоянии не занят и при возбуждении способен захватить электрон из ВЗ, образуя дырку. Энергия ионизации акцептора: WA = WA - WB во много раз меньше ширины 33, то при комнатной температуре все акцепторы ионизируются (рис. 11).
Рисунок 11 – Энергетическая диаграмма ПП р- типа
Электропроводность полупроводников в этом случае обусловлена перемещением дырок, так как их намного больше чем свободных электронов. Основными носителями заряда являются дырки, неосновными – электроны.Такой тип электропроводности называется дырочной.Полупроводники называются р -типа или с дырочной электропроводностью.
Подвижные носители заряда, концентрация которых преобладает в примесных полупроводниках называются основными (дырки в р-типа и электроны в полупроводниках), а носители, составляющие меньшинство в п-типа, электроны в р -типа полупроводниках.
Дата добавления: 2015-06-27; просмотров: 897;