ПЕРЕЧЕНЬ ВОПРОСОВ ДЛЯ ПОДГОТОВКИ К ЗАЧЕТУ

 

1- Ширина запрещенной зоны германия равна 0.663 эВ. Какую энергию необходимо приложить к электрону, чтобы перевести его из валентной зоны в зону проводимости.

2- P-n-переход. Движение основных и неосновных носителей через переход.

3- Ширина запрещенной зоны кремния равна 1.13 эВ. Какую энергию необходимо придать электрону, чтобы перейти из зоны проводимости в валентную зону.

4- P-n-переход. Распределение основных и неосновных носителей в переходе.

5- Ширина запрещенной зоны германия равна 0.663 эВ. Какую энергию необходимо приложить к монокристаллу, чтобы перевести уровень Ферми к дну зоны проводимости.

6- P-n-переход. Равновесное состояние основных и неосновных носителей в переходе.

7- Ширина запрещенной зоны германия равна 0.663 эВ. Ввели примесь электронного типа с энергией 0.1эВ. Куда сместится уровень Ферми и насколько.

8- P-n-переход. От каких факторов зависит толщина перехода.

9- Ширина запрещенной зоны германия равна 0.663 эВ. Ввели примесь дырочного типа с энергией 0.1эВ. Куда сместится уровень Ферми и насколько.

10- P-n-переход. Под действием каких сил происходит движение основных и неосновных носителей через переход.

11- При введении примеси электронного типа с энергией 0.1эВ в кремнии. Куда сместится уровень Ферми и насколько.

12- P-n-переход. Как будут двигаться основные и неосновные носители при приложении внешнего напряжения плюсом к р-слою.

13- При повышении температуры примеси электронного типа до энергии 0.1эВ в кремнии. Куда сместится уровень Ферми и насколько.

14- P-n-переход. Как будут двигаться основные и неосновные носители при приложении внешнего напряжения плюсом к n-слою.

15- При введении примеси дырочного типа с энергией 0.1эВ в кремнии. Куда сместится уровень Ферми и насколько.

16- Симметричный р-n-переход. Как будет изменяться емкость при приложении внешнего напряжения.

17- Ширина запрещенной зоны германия равна 0.663 эВ. Какую энергию необходимо приложить к полупроводнику, чтобы он оказался вырожденным.

18- Р-n-переход полупроводник - металл. Какие и куда будут двигаться заряды.

19- Ширина запрещенной зоны германия равна 0.663 эВ. Каков тип примеси, если ее уровень оказался ниже дна свободной зоны на 0.1 эВ. Куда сместился уровень Ферми.

20- Р-n-переход типа р+–ni. Какие и куда будут двигаться заряды.

21- Почему и как изменяется концентрация собственных носителей при повышении температуры.

22- Р-n-переход. Его барьерная и диффузионная емкости. Их использование в схемотехнике.

23- Куда сместится уровень Ферми при введении донорной примеси.

24- Пробой р-n-перехода. Какие и куда двигаются заряды при пробое. Использование пробоя в схемотехнике.

25- Куда сместится уровень Ферми при введении акцепторной примеси.

26- Тепловой пробой р-n-перехода. Какие и куда двигаются заряды при пробое. Использование пробоя в схемотехнике.

27- Полупроводник с донорной примесью. Куда сместится уровень Ферми при повышении температуры.

28- Р-n-переход. Куда и как двигаются основные и неосновные заряды.

29- У какого электрона энергия больше – донорного или акцепторного.

30- Р-n-переход. Распределение потенциального барьера для основных и неосновных носителей.

31- У какой дырки энергия больше – донорной или акцепторной.

32- Р-n-переход. Почему барьерная емкость уменьшается при увеличении отрицательного напряжения.

33- Почему увеличивается число носителей заряда в полупроводнике с повышением температуры.

34- Р-n-переход. Почему образуется внутреннее поле в р-n – переходе.

35- Ширина запрещенной зоны Si равна 1.13 эВ. Какую энергию необходимо добавить электрону, чтобы перевести его из зоны примеси электронного типа, расположенной выше потолка валентной зоны на 0.1 эВ в зону проводимости.

36- Р-n-переход. Какими факторами определяется высота потенциального барьера.

37- Ширина запрещенной зоны кремния равна 1.13 эВ. Куда переместится уровень Ферми после введения донорной примеси с энергией 0.2 эВ.

38- Р-n-переход. Чем отличаются пробои в переходе.

39- Как изменяется электропроводность собственного полупроводника с повышением температуры.

40- Р-n-переход. Что такое тепловой ток и как он зависит от температуры.

41- Р-n-переход. Почему он обладает свойством проводить ток в одном направлении и не проводить ток в другом.

42- Какого типа полупроводник, если уровень Ферми находится в зоне проводимости.

43- Р-n-переход. Как зависит длина перехода от изменения температуры.

44- Куда смещается уровень Ферми в полупроводнике при легировании его индием.

45- Как изменяется электропроводность собственного полупроводника с повышением температуры.

46- В какой зоне находится уровень Ферми в собственном полупроводнике при температур абсолютного нуля.

47- Р-n-переход. Почему он обладает свойством проводить ток в одном направлении и не проводить ток в другом.

 

 








Дата добавления: 2015-06-12; просмотров: 965;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.005 сек.