Технические характеристики испытателей электропроводности ИЭ -Т.
Таблица 4.9.1
| Тип прибора | Диапозон измерения м/Ом·мм² | Частота тока питающего датчика, кГц | Толщина стенок на нижнем пределе измерения, мм | Приблизительный диаметр площадки для установки датчика |
| ИЭ – 1 | 15 – 60,0 | 1,2 | ||
| ИЭ –1М | 4,8 – 15,5 | 1.5 | ||
| ИЭ – 11 | 0,5 –5,0 | 1,5 | ||
| ИЭ –20 | 0,02 – 0,5 | 1,5 | ||
| ИЭ –Т | 0,5 – 60 | 50 –150 –250 | 1,5 |
При использовании оправок и приспособлений, фиксирующих положение датчика относительно детали, можно контролировать детали практически любой формы .
По прибору ИЭ-Т данные предварительные.
Испытатель электропроводности ИЭ-1, ИЭ-1М, ИЭ-20 выпускаются на Кишиневском заводе «Электромашприбор». Здесь же готовится к выпуску прибор ИЭ-Т.
Испытатели электропроводности имеют генератор высокой частоты, усилитель, измерительный блок, включающий датчик и компенсационную сеть, усилитель постоянного тока с микроамперметром.
Измерительная часть схемы прибора ИЭ-20 имеет некоторые особенности, так как здесь используется весьма высокая рабочая частота (5 Мгц).
Ниже описывается наиболее современный универсальный измеритель электропроводности типа ИЭ – Т, внешний вид которого показан на рис. 4.9.1. Этот прибор выполняет функции трех приборов:
ИЭ –1, ИЭ -1М, ИЭ – 11.
Принципиально построение схемы испытателя электропроводности ИЭ – транзистор не отличается от предыдущих приборов. Здесь сохранены те же функциональные узлы, однако часть из них выполнена по другим электронным схемам, что объясняется необходимостью.
1. Работа трех первых каскадов – генераторов, усилителя и измерительного узла на трех различных частотах.
2. Применением во всех каскадах прибора полупроводниковых элементов взамен электронных ламп.
3. Питанием прибора от автономного источника и связанного с этим повышения КПД схемы.
Дата добавления: 2015-06-10; просмотров: 1147;