Фоторезисторы. Фоторезистор представляет собой полупроводниковый резистор, сопротивление которого изменяется под действием излучения

Фоторезистор представляет собой полупроводниковый резистор, сопротивление которого изменяется под действием излучения. Принцип устройства фоторезистора поясняется на рис.4.1,а. На диэлектрическую пластинку 1 нанесен тонкий слой полупроводника 2 с контактами 3 по краям. Схема включения фоторезистора приведена на рис.4.1,б. Полярность источника питания не играет роли.

Если облучения нет, то фоторезистор имеет некоторое большое сопротивление R_T, называемое темновым. Оно является одним из параметров фоторезистора и составляет 10⁴-10⁷Ом. Соответствующий ток через фоторезистор называется темновым током. При действии излучения с достаточной энергией фотонов на фоторезистор в нем происходит генерация пар подвижных носителей заряда (электронов и дырок) и его сопротивление уменьшается.

Для фоторезисторов применяются различные полупроводники, имеющие нужные свойства. Так, например, сернистый свинец наиболее чувствителен к инфракрасным, а сернистый кадмий – к видимым лучам. Фоторезисторы характеризуются удельной чувствительностью, т.е. интегральной чувствительностью (это – отношение фототока к вызвавшему его потоку белого (немонохроматического) света), отнесенной к 1В приложенного напряжения: S_уд= I / (ФU) (4.1)

где Ф – световой поток.

Обычно удельная чувствительность составляет несколько сотен или тысяч микроампер на вольт-люмен.

Фоторезисторы имеют линейную вольтамперную и нелинейную энергетическую характеристику (рис.4.2). К параметрам фоторезисторов кроме темнового сопротивления и удельной чувствительности следует еще отнести максимальное допустимое рабочее напряжение (до 600В), кратность изменения сопротивления (может быть до 500), температурный коэффициент фототока ТКФ=ΔI/(IΔT). Значительная зависимость сопротивления от температуры, характерная для полупроводников, является недостатком фоторезисторов. Существенным недостатком надо считать также их большую инерционность, объясняющуюся довольно большим временем рекомбинации электронов и дырок после прекращения облучения. Практически фоторезисторы применяются лишь на частотах не выше нескольких сотен герц или единиц килогерц. Собственные шумы фоторезисторов значительны. Тем не менее, фоторезисторы широко применяются в различных схемах автоматики и во многих других устройствах.