ФОТОРЕЗИСТОРЫ

Фоторезистор представляет собой полупроводниковый резистор, сопротив­ление которого изменяется под действием излучения. Принцип устройства фоторезистора поясняется на рис. 13.1, а. На диэлектрическую пластину 1 нанесен тонкий слой полупроводника 2 с контак­тами 3 по краям. Схема включения фоторезистора приведена на рис. 13.1,6. Полярность источника питания не играет роли.

Если облучения нет, то фоторези­стор имеет некоторое большое сопро­тивление RT, называемое темновым. Оно является одним из параметров фоторе­зистора и составляет 104— 107 Ом. Соот­ветствующий ток через фоторезистор называют темновым током. При дей­ствии излучения с достаточной энерги­ей фотонов на фоторезистор в нем происходит генерация пар подвижных носителей заряда (электронов и дырок) и его сопротивление уменьшается.

Для фоторезисторов применяют раз­личные полупроводники, имеющие нуж­ные свойства. Так, например, сернистый свинец наиболее чувствителен к инфра­красным, а сернистый кадмий — к види­мым лучам. Фоторезисторы характери­зуются удельной чувствительностью, т. е. интегральной чувствительностью *, отнесенной к 1 В приложенного напря­жения:

(13.1)

где Ф — световой поток.

Обычно удельная чувствительность составляет несколько сотен или тысяч микроампер на вольт-люмен.

Фоторезисторы имеют линейную вольт-амперную и нелинейную энерге­тическую характеристику (рис. 13.2). К параметрам фоторезисторов кроме тем-нового сопротивления и удельной чув­ствительности следует еще отнести мак­симальное допустимое рабочее напряже­ние (до 600 В), кратность изменения сопротивления (может быть до 500), тем­пературный коэффициент фототока ТКФ = Д//(/ AT). Значительная зависи­мость сопротивления от температуры, характерная для полупроводников, яв­ляется недостатком фоторезисторов. Су­щественным недостатком надо считать также их большую инерционность, объ­ясняющуюся довольно большим време­нем рекомбинации электронов и дырок после прекращения облучения. Практи­чески фоторезисторы применяются лишь на частотах не выше нескольких сотен герц или единиц килогерц. Собственные шумы фоторезисторов значительны. Тем не менее фоторезисторы широко приме­няются в различных схемах автоматики и во многих других устройствах.

Рис. 13.1. Принцип устройства и схема вклю­чения фоторезистора Рис. 13.2. Вольт-амперная (а) и энергетиче­ская (б) характеристики фоторезистора.


 








Дата добавления: 2015-05-19; просмотров: 894;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.004 сек.