МАГНИТОРЕЗИСТОРЫ

Магниторезисторы — это полупро­водниковые резисторы, у которых электрическое сопротивление зависит от действующего на резистор магнитного поля. Изменение электрического сопро­тивления под действием поперечного магнитного поля называют магнито-резистивным эффектом (эффектом Гаусса). Этот эффект объясняется сле­дующим образом.

Если бы все электроны имели одинаковую среднюю скорость, то при ра­венстве силы поля и силы Лоренца они двигались бы так, как будто магнитного поля вообще нет. Но в действительности скорости у электронов различны. Поэтому для электронов, скорость которых отличается от средней, нет равенства силы поля и силы Лоренца. Одна из этих сил больше другой и вызывает отклонение электронов. Траектории таких электронов искривляются, и путь электронов становится длиннее, а это означает, что увеличивается сопро­тивление полупроводника. В этом и заключается магниторезистивный эф­фект. При увеличении магнитной индук­ции от 0 до 1 Тл сопротивление магниторезисторов может увеличиться в несколько раз.

Увеличение сопротивления тем больше, чем больше магнитная индукция и подвижность носителей. Поэтому для изготовления магниторезисторов применяют полупроводники с возможно более высокой подвижностью носите­лей заряда, например антимонид индия InSb или арсенид индия InAs и некоторые другие. Как и у всех полупроводниковых приборов, сопротивление магниторезисторов при повышении температуры значительно уменьшается.

Основные параметры магниторезисторов: номинальное сопротивление при отсутствии магнитного поля; отношение сопротивления при действии магнитного поля с определенным значением магнитной индукции к номинальному сопротивлению; температурный коэффициент сопротивления и максимальная допусти­мая мощность рассеяния.

Магниторезисторы применяются в измерительной технике, в частности для измерения магнитной индукции,

в качестве бесконтактных датчиков перемещений, в бесконтактных выключателях и переключателях и во

многих других устройствах электронной техники и электротехники.