Конденсатори. Найчастіше застосовуються дифузійні конденсатори, в яких основним параметром є бар'єрна ємність – переходу

Найчастіше застосовуються дифузійні конденсатори, в яких основним параметром є бар'єрна ємність – переходу, що, як відомо, залежить від площі переходу, діелектричної проникності ε напівпровідника, концентрації домішок і прикладеної зворотної напруги (рис. 7.20)

Ємність цих елементів набуває значень від 500 до 1500пФ з допуском ±20%. Номінал ємності визначає фіксована зворотна напруга. Дифузійні конденсатори можуть працювати і як конденсатори змінної ємності: змінюючи зворотну напругу від 1 до 10 В, змінюють ємність у 2-2,5 раза.

Рисунок 7.20 - Дифузійний конденсатор

У напівпровідникових ІС застосовують МОН– конден­сатори (т. зв. металооксидні конденсатори) (рис. 7.21).

Рисунок 7.21 - МОН конденсатор

Однією обкладкою є дифузійний шар n⁺, на якому створюється плівка SiO2. Поверх цього шару наноситься алюмінієва плівка, яка відіграє роль другої обкладки. Ємність С ≤ 500 пФ, допуск ±25%. У таких конденсаторах, на відміну від дифузійних, немає необхідності строго дотримуватися полярності вмикання. Крім того, в них відсутня нелінійна залежність ємності від напруги.