Фоторезистори

Фоторезисторами називають напівпровідникові прилади, електричний опір яких змінюється під дією світла. Конструктивно фоторезистор складається з діелектрика 3, на який нанесено світлочутливий шар напівпровідника 1, і зовнішніх електродів 2 (рис. 6.5 а).

а) б) в)

Рисунок 6.5 – Будова (а), схема вмикання (б) та статична характеристика (в) фоторезистора

Схема вмикання фоторезистора до електричного кола показана на рис. 6.5 б. Увімкнення джерела Е не залежить від полярності, оскільки фоторезистор не має вентильних властивостей.

Вихідним матеріалом виготовлення світлочутливого шару фоторезистора є PbS, CdSe або CdS.

За відсутності світла (світловий потік ) фоторезистор має великий темновий опір, і при прикладенні зовнішньої напруги через нього протікає малий темновий струм . Під дією світла опір фоторезистора зменшується, і через нього проходить струм

= + , (6.1)

де - коефіцієнт пропорціональності;

- світловий потік;

- темновий струм (темновий опір фото резистора – сотні кілоомів).

Залежність = ( ) при = відповідно до формули (6.1) показана на рис. 6.5 в.

При низьких рівнях освітлення залежність = ( ) можна вважати лінійною:

= + , (6.2)

де - інтегральна чутливість фоторезистора.

Недоліками фоторезисторів є нелінійність характерис­тики та мала швидкодія (граничні частоти приладу не перевищують 1 кГц). Фоторезистори застосовують як оптоелектронні датчики, а також як фотоприймачі в оптронах.