Общие сведения. Биполярным транзистором (БТ) называется трехэлектродный полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими p-n-переходами

Биполярным транзистором (БТ) называется трехэлектродный полупроводниковый прибор с двумя взаимодействующими p-n-переходами, предназначенный для усиления электрических колебаний по току, напряжению или мощности. Слово «биполярный» означает, что физические процессы в БТ определяются движением носителей заряда обоих знаков (электронов и дырок). Взаимодействие переходов обеспечивается тем, что они располагаются достаточно близко – на расстоянии, меньшем диффузионной длины. Два p-n-перехода образуются в результате чередования областей с разным типом электропроводности. В зависимости от порядка чередования областей различают БТ типа n-p-n (или со структурой n-p-n) и типа p-n-p (или со структурой p-n-p). Крайние области называются эмиттер и коллектор, а средняя – база. Условные изображения таких структур и условные графические обозначения на принципиальных схемах показаны на рисунке 3.1. Контакты с областями БТ обозначены буквами: Э - эмиттер; Б - база; К - коллектор.

а) типа n-p-n	б) типа p-n-p
Рис. 3.1. Структуры БТ:

Упрощенное устройство планарного транзистора (т.е. выводы сделаны в одной плоскости) типа n-p-n изображено на рисунке 3.2. Обязательным

Рис. 3.2. Структура БТ типа n-p-n

условием работы транзистора является то, что эмиттерная область выполняется с высокой концентрацией примесей и обозначена верхним индексом «+» (n⁺). Поэтому БТ является асимметричным прибором. Область n является коллектором. Соответственно область p являетсябазовой(или базой).

Область n⁺ под выводом коллектора служит для исключения выпрямляющего контакта и создания омического контакта между выводом и телом коллектора. Переход n⁺- р между эмиттером и базой называют эмиттерным, а p-n между базой и коллектором - коллекторным. Стрелки на условных изображениях БТ указывают (рисунок 3.1) направление прямого тока эмиттерного перехода.