Порядок выполнения работы. 1. В операционной системе MS DOS запустить среду задачи LABOR_8.

1. В операционной системе MS DOS запустить среду задачи LABOR_8.

EXE.

2. Провести эксперимент с помощью математической модели, которая

включает исследуемый диэлектрический материал, конденсаторную структуру, содержащую исследуемый диэлектрик, и измерительный прибор для измерения емкости и тангенса угла диэлектрических потерь конденсаторов резонансным методом.

Конденсаторная структура представляет собой пленочную структуру тантал – пятиокись тантала – хром – никель на ситалловой подложке. Исследуемый диэлектрик – пятиокись тантала получен электрохимическим окислением слоя тантала.

Толщина диэлектрика 0,18 мкм. Относительная диэлектрическая проницаемость 25.

Удельная емкость конденсатора составляет 0,1 мкФ/см². Толщина слоя тантала под слоем окисла равна 0,6 мкм.

Измерительный прибор работает на основе комбинированной схемы замещения в диапазоне частот 10 Гц – 800 кГц. Амплитуда измерительного сигнала 0,35 В.

Экспериментальная работа проводится в разделе «ЭКСПЕРИМЕНТ». После задания частоты сигнала генератора на дисплее появляются значения измеренных величин. Рекомендуется частоту генератора до 100-200 Гц изменять через промежутки в 10 Гц. Далее можно выполнить 10 измерений через неодинаковые интервалы частот (интервалы частот могут отличаться на порядки).

3. Построить график частотных характеристик.

4. Вычислить значения элементов конденсаторной структуры.

Содержание отчета

В отчет о проделанной лабораторной работе следует включить:

1. Таблицу измеренных емкости и тангенса угла диэлектрических потерь в диапазоне частот 10 Гц – 800 кГц.

2. График частотных характеристик указанных величин.

3. Вычисленные значения элементов исследованной конденсаторной структуры: C, R₁ и R₂, по комбинированной схеме замещения. Графики зависимостей от 1/f в области низких частот и от f в области высоких частот, необходимые для расчета элементов схемы замещения графическим методом (по наклону соответствующих прямых на графиках).