Гальваномагниторекомбинационные преобразователи. Гальваномагниторекомбинационные преобразователиоснованы на изменении средней концентрации носителей заряда под действием магнитного поля

Гальваномагниторекомбинационные преобразователиоснованы на изменении средней концентрации носителей заряда под действием магнитного поля, проявляющемся в проводниках, которые имеют поверхности с разной скоростью рекомбинации носителей зарядов.

Рис. 5.2. Гальваномагниторекомбинационный преобразователь

На рис. 5.2 преобразователь представляет собой тонкую полупроводниковую пластинку, у которой поверхность 1 плохо обработана, а поверхность 2 отполирована. Вследствие этого у поверхности 1 скорость рекомбинации носителей зарядов на 2 – 3 порядка больше, чем у поверхности 2. Если преобразователь находится в магнитном поле так, что вектор магнитной индукции направлен перпендикулярно вектору плотности тока и параллельно плоскостям, то под действием сила Лоренца произойдет смещение носителей зарядов к одной из боковых поверхностей. Если направление магнитного поля перемещается к поверхности 1, то общая концентрация носителей зарядов уменьшается и соответственно возрастает сопротивление. Если магнитное поле перемещается к поверхности 2, то идет обратная реакция.

Достоинства: высокая чувствительность, бесконтактность. Недостатки: влияние температуры, шум.