ПРИМЕСИ ВНЕДРЕНИЯ. КОВАЛЕНТНЫЕ СТРУКТУРЫ ТИПА АЛМАЗА

На основе экспериментальных исследований было установлено следующее. При попадании в междоузлие кристаллической решетки германия лития
(I группа) он, вопреки правилам валентности, создает донорную примесь. Это обеспечивается за счет ионизации атома Li в среде с большой диэлектрической проницаемостью. В результате образуется ион Li меньших размеров, а освободившийся электрон, оторвавшийся от атома Li, начнет блуждать по кристаллу и создаст электропроводимость n–типа.

Если в междоузлие кристаллической решетки германия внедряется электроотрицательный атом О (VI группа), имеющий небольшие размеры, то благодаря его электроотрицательности он начнет захватывать электроны у атомов германия и создаст электропроводность р–типа.

Если атом Gе или Si под влиянием энергетического воздействия перебрасывается в междоузлие, то образуются два примесных уровня: донорный внедренного атома и акцепторный пустого узла.