Одноконтактные схемы усилителей прямого усиления .

Принципиальная схема двухкаскадного усилителя с непосредственной связью приведена на рисунке .

Транзисторы Т1 и Т2 в усилителе включены с общим эмиттером. Для уравнивания потенциалов коллектора Т1 и базы Т2 в цепь эмиттера Т2 включен резистор RЭ2, величина которого выбирается такой, чтобы URЭ2=Uкт1-UБЭТ2.

Одновременно, резисторы RЭ1, RЭ2 не могут быть зашунтированы емкостью (при f»0 требуется бесконечно большая шунтирующая емкость), то в усилителе возникает местная обратная связь по току, снижающая усиление схемы.

Резистор нагрузки Rн включен в диагональ моста, плечами которого являются резистор Rк2, транзистор Т2 и делитель на сопротивлениях R3, R4. Такое включение резистора нагрузки применяют для устранения протекания тока через Rн при Uвх=0. Часто, вместо делителя на сопротивлениях применяют компенсирующие источники питания для цепи источника сигнала. Если значение Екомп выбрать равным по величине постоянному потенциалу базы Uбт1 по отношению к земле, то при Uвх=0 ток через Rг протекать не будет.

Коэффициент усиления по напряжению для первого каскада:

Для второго каскада:

Если Rвх2>>Rк1 и Rн>>Rк2, то коэффициент усиления каскадов КU1,2 приближенно равен КU»Rк/RЭ.

Так как с ростом числа каскадов потенциал базы от каскада к каскаду становится более отрицательным, то сопротивление RЭ увеличивается, а сопротивление Rк уменьшается, что приводит к уменьшению коэффициента усиления каскада с ростом номера каскада.

Для снижения величины резистора RЭ может производится питание его дополнительным током через добавочное сопротивление (см.рис.)

В этом случае эквивалентное сопротивление в эмиттере для изменяющегося (переменного) переменного тока RЭКВ@RЭ/RДОБ.

Еще более эффективный способ- применение вместо эмитттерных резисторов стабилитронов, как это показано на рисунке.

 

При этом, для изменяющегося тока сопротивление в эмиттере определяется малым дифференциальным сопротивлением стабилитрона R.

Уменьшение сопротивления RЭ и увеличение Кu в усилителях с непосредственной связью можно получить так же при использовании в соединяемых каскадах транзисторов с разного типа проводимостью: p- n- p и n- p- n (см.рисунок выше).

В однотактных каскадах УПТ выходного напряжения определяется в основном температурным дрейфом параметров транзисторов и равен:

DUвых=DIкоRк’

Величина приведенного дрейфа составляет единицы мВ на градус, что недопустимо велико.

Снижение дрейфа в однотактных схемах можно получить при использовании в схемах методов термокомпенсации.








Дата добавления: 2015-02-13; просмотров: 1129;


Поиск по сайту:

При помощи поиска вы сможете найти нужную вам информацию.

Поделитесь с друзьями:

Если вам перенёс пользу информационный материал, или помог в учебе – поделитесь этим сайтом с друзьями и знакомыми.
helpiks.org - Хелпикс.Орг - 2014-2024 год. Материал сайта представляется для ознакомительного и учебного использования. | Поддержка
Генерация страницы за: 0.004 сек.