Одноконтактные схемы усилителей прямого усиления .
Принципиальная схема двухкаскадного усилителя с непосредственной связью приведена на рисунке .
Транзисторы Т1 и Т2 в усилителе включены с общим эмиттером. Для уравнивания потенциалов коллектора Т1 и базы Т2 в цепь эмиттера Т2 включен резистор RЭ2, величина которого выбирается такой, чтобы URЭ2=Uкт1-UБЭТ2.
Одновременно, резисторы RЭ1, RЭ2 не могут быть зашунтированы емкостью (при f»0 требуется бесконечно большая шунтирующая емкость), то в усилителе возникает местная обратная связь по току, снижающая усиление схемы.
Резистор нагрузки Rн включен в диагональ моста, плечами которого являются резистор Rк2, транзистор Т2 и делитель на сопротивлениях R3, R4. Такое включение резистора нагрузки применяют для устранения протекания тока через Rн при Uвх=0. Часто, вместо делителя на сопротивлениях применяют компенсирующие источники питания для цепи источника сигнала. Если значение Екомп выбрать равным по величине постоянному потенциалу базы Uбт1 по отношению к земле, то при Uвх=0 ток через Rг протекать не будет.
Коэффициент усиления по напряжению для первого каскада:
Для второго каскада:
Если Rвх2>>Rк1 и Rн>>Rк2, то коэффициент усиления каскадов КU1,2 приближенно равен КU»Rк/RЭ.
Так как с ростом числа каскадов потенциал базы от каскада к каскаду становится более отрицательным, то сопротивление RЭ увеличивается, а сопротивление Rк уменьшается, что приводит к уменьшению коэффициента усиления каскада с ростом номера каскада.
Для снижения величины резистора RЭ может производится питание его дополнительным током через добавочное сопротивление (см.рис.)
В этом случае эквивалентное сопротивление в эмиттере для изменяющегося (переменного) переменного тока RЭКВ@RЭ/RДОБ.
Еще более эффективный способ- применение вместо эмитттерных резисторов стабилитронов, как это показано на рисунке.
При этом, для изменяющегося тока сопротивление в эмиттере определяется малым дифференциальным сопротивлением стабилитрона R.
Уменьшение сопротивления RЭ и увеличение Кu в усилителях с непосредственной связью можно получить так же при использовании в соединяемых каскадах транзисторов с разного типа проводимостью: p- n- p и n- p- n (см.рисунок выше).
В однотактных каскадах УПТ выходного напряжения определяется в основном температурным дрейфом параметров транзисторов и равен:
DUвых=DIкоRк’
Величина приведенного дрейфа составляет единицы мВ на градус, что недопустимо велико.
Снижение дрейфа в однотактных схемах можно получить при использовании в схемах методов термокомпенсации.
Дата добавления: 2015-02-13; просмотров: 1186;